1、讀寫速度壹致，以總線速度寫入，無寫等待。這就與其他基於浮柵技術的非易失性存儲器完全獨立開來，其他非易失性存儲器有長時間的寫等待時間。在數據寫入輸入緩沖器後，典型的EEPROM需要10毫秒才能使寫操作生效，而FRAM以納秒寫入。其次，FRAM沒有沒有優先盒默認狀態，不需要擦除操作。
2、FRAM可無限次擦寫，不會象其他非易性失性存儲器壹樣受擦寫次數限制。浮柵技術的存儲器在多次擦寫後不能在儲存數據。這是壹種硬件失效機制，疲乏的存儲單元不能再儲存程序狀態。FRAM則不存在這樣的問題。
3、運行的FRAM不需要高電壓脈沖，使其產生的第三個顯著特點“低功耗”。浮柵技術采用高電壓編程新狀態。寫操作需要的電壓，遠遠超過讀寫讀操作需要的電壓。而FRAM的工作電壓是5V、3V，甚至更低。
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