IGPT與IGBT有什麽不同，

IGBT（絕緣柵門極雙極晶體管）是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

igbt是vmos和bjt組成，vmos是V型場效應管，電壓驅動器件，輸入阻抗高，但是輸入電容大， igbt是voms在前，bjt在後，好處是在高壓大電流應用的時候，後級的bjt壓降小，導通電阻的，效率高

非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域

IGBT器件將不斷開拓新的應用領域，為高效節能、節材，為新能源、工業自動化(高頻電焊機, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, UPS/EPS, 感應加熱)提供了新的商機。

簡單點說就是大功率的開關器件

igpt不知道啊～～

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