三星SSD固態硬盤 840EVO 的缺點：4K讀寫壹般，隨機寫入能力較弱。
造成缺點的原因
如圖，三星MEX三核主控的內部核心為8通道閃存控制器，每通道支持4CE，SSD的CE總量達到32方可發揮最佳性能。
而三星840 EVO 120GB SSD采用兩個64GB 閃存顆粒，每個顆粒4die 128Gb芯片（4CE），合計總***8CE，離32CE總量甚遠。這就是問題的根源所在。
擴展資料：
三星840EVO?固態硬盤是三星2013年7月推出了新壹代固態硬盤產品。與在之前的840系列固態硬盤相比，840 EVO除了在主控、閃存、緩存、固件方面進行了更新換代外，性能有了很大提升，另外容量方面最大容量翻倍至1TB，最小120GB容量。
840 EVO固態硬盤使用的是1xnm新工藝的TLC，這種閃存每顆能封裝最多八個Die，每Die晶圓芯片為128Gbit(折合為16GB），頁面尺寸8KB，只不過每個區塊的頁面數量從192增至256，每顆黑色的成品閃存采用MCP多芯片封裝，單顆容量最大為128GB。可靠性上，編程/擦寫循環次數還是1000-3000。
參考資料：