?簡單地說在壹塊本征半導體的兩邊通過不同的摻雜分別做成P?型和N?型半導體。P?型半導體中空穴為多數載流子，N型半導體中電子為多數載流子。由於濃度差，這兩種載流子會自發向對方區域擴散。因為空穴帶正電，電子帶負電，所以兩種載流子會在交界面復合，從而在交界面兩側形成壹個空間電荷區，其電場方向由N?指向P，這就是PN?節。這個內電場的形成阻礙了多數載流子的擴散運動，因此壹定溫度下PN?節的尺度是確定的(見圖1)。
?當PN?節外加正向電壓時（P?型半導體接電源正極，N?型半導體接電源負極），外電場與內電場作用，總的效果是削弱內電場，從而空穴和電子可以再向對方區域擴散形成穩定的電流。此時高能態的電子與空穴復合時就把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉化成光能（見圖2）。當然在發光二極管的PN?節上加反向電壓（P?型半導體接電源負極，N?型半導體接電源正極），由於內電場被加強，所以進壹步阻止了多數載流子的擴散運動，電路不能導通就不能發光。
值得註意的是，不是所有的半導體材料都能用來做成發光二極管的，目前用得較多的是GaP(磷化稼)，GaAsP(磷砷化稼)等。通常的LED?結構見圖3。
參考文獻：《LED?原理與應用》 楊先? 大眾科技? 2010?年第12?期