封裝之後的測試不熟，有FT、SLT等，具體不詳，yield map壹類，以前在fab的時候，看到的是結果，具體測法不詳，說壹下fab芯片制造完成之後的測試吧。
1，出廠必測的WAT，wafer acceptance test，主要是電性能測試，每壹類晶體管的參數，電壓電容電阻等，每壹層金屬的電阻，層間的電容等，12寸廠的晶圓抽測9顆樣點，均勻分布在整個wafer上，答主熟悉的55nm技術，每壹個樣點上必測70~120個參數，整片wafer測完約需要10~15分鐘，設備主要是安捷倫和東電的；
2，在晶圓制造過程中監測膜厚、線寬等，膜厚是13點，線寬是9點；
3，光學鏡頭芯片還會測試wafer的翹曲度、整體厚度值，要配合後端芯片的再制備；
4，在測試芯片（非生產性正常檢測）的時候，還會測試NBTI、TDDB、GOV等；
5，其他根據芯片特性的測試。