n型摻雜壹般摻入：磷元素
當矽片被摻入硼或磷時，它的導電性就顯著的改變了。通常情況下，壹個純矽片中是沒有自由電子的，它所有的四個價電子都被鎖住在與相鄰矽原子的***價鍵中，由於沒有自由電子，外加電壓幾乎無法導致電子流過矽片。
把磷加入到矽晶片中後，情況將發生改變。與矽不同，磷有五個價電子，而不是四個。其中，四個價電子和相鄰的矽原子的四個價電子形成***價鍵。
但第五個價電子沒有電子結合，將飄浮在原子周圍。如果壹個電壓施加到矽-磷混合物，這個未被束縛電子將穿過摻雜的矽片向電壓的正極移動，向混合特中摻雜的磷越多，產生的電流越大。摻入磷雜質的矽稱為“N型矽”，或“負電荷載流子型矽”。
n型半導體是在本征半導體中摻入磷、銻、砷元素形成的。
1、半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，如矽、鍺、硒等，它們的電阻率通常也介於導體和絕緣體之間。半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。
2、在本征半導體矽（或鍺）中摻入微量的5價元素，例如磷，則磷原子就取代了矽晶體中少量的矽原子。
磷原子最外層有5個價電子，其中4個價電子分別與鄰近4個矽原子形成***價鍵結構，多余的1個價電子在***價鍵之外，只受到磷原子對它微弱的束縛，因此在室溫下，即可獲得掙脫束縛所需要的能量而成為自由電子，遊離於晶格之間。
3、N-型半導體是通過在本征半導體中摻入施主雜質而得到的，通常是在矽中摻入磷。N-型半導體的電子濃度遠大於空穴濃度。N-型就是來自於電子的負電荷。在N-型半導體中，電子是多子，空穴是少子。