ROM
只讀內存（Read-Only Memory）是壹種只能讀取資料的內存。在制造過程中，將資料以壹特制光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為“光罩式只讀內存”（mask ROM）。此內存的制造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
可編程只讀存儲器
可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）壹般可編程壹次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。
PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫壹次，第壹次寫入的信息就被永久性地保存起來。 例如，雙極性PROM有兩種結構：壹種是熔絲燒斷型，壹種是PN結擊穿型。它們只能進行壹次性改寫，壹旦編程完畢，其內容便是永久性的。由於可靠性差，又是壹次性編程，目前較少使用。
可編程可擦除只讀存儲器
可編程可擦除只讀存儲器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡稱：EPROM）可多次編程。這是壹種便於用戶根據需要來寫入，並能把已寫入的內容擦去後再改寫，即是壹種多次改寫的ROM。由於能夠改寫，因此能對寫入的信息進行校正，在修改錯誤後再重新寫入。
擦除遠存儲內容的方法可以采用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。 光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留壹個石英透明窗以方便曝光。
壹次編程只讀內存
壹次編程只讀內存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。
電子可擦除可編程只讀存儲器
電子可擦除可編程只讀存儲器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
閃速存儲器
閃速存儲器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發明的壹種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點，又有RAM的特點，因而是壹種全新的存儲結構。