DDR是用壹個周期來來回回的傳輸數據，所以傳輸是同時加倍的，所以就像是工作在兩倍的工作頻率上。為了直觀起見，用等價的方式命名，所以命名為DDR 200 266 333 400。
DDR2:
雖然DDR2的工作頻率沒有變化，但是數據傳輸的24bit位寬從DDR的2 bit變成了4bit，所以同時傳輸的數據是DDR的兩倍，所以也以等效頻率命名，即DDR2 400 533 667 800。
DDR3:
DDR3內存的工作頻率沒有增加，數據傳輸位寬增加到了8bit，是DDR2的兩倍，所以在同樣的工作頻率下達到了更高的帶寬，所以用等價的方式命名為DDR 3 800 1066 1333 1600。
所以可以看出DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600等內存的工作頻率沒有區別，但是由於傳輸數據的位寬翻倍，帶寬增加了。
內存的真實工作頻率取決於延遲。DDR400和DDR2 800的實際工作頻率相同，後者的帶寬是前者的兩倍，延遲相同。如果是DDR400和DDR2 667，後者帶寬更大，但實頻更低，延遲略大。
DDR2和DDR有什麽區別？
1，速率和預取量？
DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍，DDR2內存的預期4-4位容量是標準DDR內存的兩倍。？
2.封裝和電壓？
DDR包是TSOPII，DDR2包是FBGA；；
DDR的標準電壓是2.5V，DDR2的標準電壓是1.8V
3、位預取？
DDR是2位預取，DDR2是4位預取。
4.新技術的引入？
DDR2介紹了強迫癥、ODT和波斯特。
(1) ODT: ODT是內置核心的端接電阻，作用是使DQS、RDQS、DQ、DM信號消耗在端接電阻上，防止這些信號反射到電路上；
(2)Post CAS:旨在提高DDR2內存的利用效率；
如果沒有預CAS功能，對其他L存儲體的尋址操作可能會延遲，因為當前行的CAS命令占用了地址行，並且數據I/O總線將會空閑。當使用預CAS時，將消除命令沖突，並提高數據I/O總線的速率。
(3)OCD(片外驅動):離線驅動調整，DDR2可以通過OCD提高信號完整性。OCD的功能是調整DQS和DQ之間的同步，以確保信號的完整性和可靠性。OCD的主要目的是調整I/O接口的電壓，以補償上拉和下拉電阻值，從而最小化DQS和DQ數據信號之間的偏差。
校準過程中，分別測試了DQS高電平和DQS高電平與DQS低電平和DQS高電平的同步性。如果不符合要求，則通過設置具有突發長度的地址線來傳輸上拉/下拉電阻電平，並且直到測試合格才退出OCD操作。
DDR3和DDR2的區別:
1，DDR2是1.8V，DDR3是1.5V；；？
2.DDR3采用CSP和FBGA封裝，8位芯片采用78球FBGA封裝，16位芯片采用96球FBGA封裝，DDR2采用60/68/84球FBGA封裝。？
3.邏輯庫的數量，DDR2有4個庫，8個庫，而DDR3有8個初始庫；？
4.突發長度。因為DDR3預計為8位，所以突發長度(BL)也固定為8。對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的。
DDR3增加了4位突發斬波模式，即使用BL=4的讀操作和BL=4的寫操作來合成BL=8的數據突發傳輸。此時，該突發模式可由A112位地址線控制。？
5.尋址時序:DDR2的AL為0~4，DDR3為0，CL-1，CL-2。另外，DDR3增加了壹個定時參數——寫延遲(CWD)；？
6.位預取:DDR 2是4位預取，DDR 3是8位預取；
7.新功能:ZQ為新引腳，連接240歐姆低容差參考電阻，增加了外露SRT(自回流溫度)可編程溫控存儲器的時鐘頻率功能。
加入PASR(PartialArray自刷新)局部存儲體刷新功能，可以說是對整個存儲體做更有效的數據讀寫，達到省電效果；
8.DDR3的參考電壓壹分為二，即命令和地址信號的VREFCA和數據總線的VREFDQ，將有效提高系統數據總線的信噪比水平；？
9.點對點連接(P2P)，這是提高系統性能的壹個重要變化。