以反相器為例。
Tool → Library manager
選中壹個庫
File → new → cell view
新建壹個庫，向庫中新建cell，新建cell後會自動彈出原理圖繪制界面
先畫原理圖：
快捷鍵介紹：
（1）添加元器件：i，左鍵放置、右鍵旋轉、Esc推出載入
（2）查看器件參數值：選中某元件後按q
（3）保存電路原理圖：x
（4）撤銷上次操作：u
（5）居中顯示原理圖：f
（6）縮小顯示窗口：[
（7）放大顯示窗口：]
（8）退出：Esc
（9）移動pin：選中後按鍵盤的shift+m，單擊右鍵是旋轉
註意：pin命名最好大寫（因為有些工藝制程下進行LVS/DRC檢測的時候，只認大寫）
原理圖畫完之後，要建立symbol用於仿真：
隨後要基於建立的symbol，畫testbench
畫testbench時需要對具體工作情景建模，然後選擇相應的器件。
從芯片外部引入的電源和地，會存在封裝上引線的電感，對於這個電感的模型是需要模擬出來的，在電路仿真中需要把這個電感的模型帶入到testbench中，在這裏要添加壹個理想的電感。
對於常規的QFN\QFP的封裝，1um bonding線（金線）等效的電感值在1nH左右、等效阻抗50mΩ，連在引腳上的電源的引線大概有2um左右，由於地線不是直接bonding到封裝的管腳上，而是bounding到芯片背面大片的金屬地上，這是個單bond、引線電感會小壹些，壹般在1mm以內，設為1nH，阻抗50mΩ
（10）引線命名：l（小寫的L）
（11）進入下壹層：e
（12）返回上壹層：ctrl+e
（13）電感：ind，電容：cap，電壓脈沖發生器：vpulse
觀察輸出波形，需要增加元器件電容，作為輸出的負載。
仿真：Tools → analog environment，這裏進行了直流仿真和瞬態仿真
Print直流工作點的方法：
畫圖方法：
有兩種畫圖風格可供選擇：
inverter仿真；減小P管寬長比帶來的影響（藍色），翻轉閾值下降了（可以理解成PMOS需要更低的柵極電壓才可以開啟）
基於原理圖生成版圖：
LSW：版圖設計時所有層的信息
深N阱（DNW）可以理解為在P-sub上面隔離出來的壹塊獨立區域，裏邊可以做需要的device，有與外界隔離的作用。於壹般的PMOS而言，可以通過放在不同的NWELL裏面來相互隔離；而對NMOS而言，它們的well（P-sub）會通過wafer的p-sub short在壹起（因為都是P型），相互串擾，互相影響。DNW裏邊的P-sub與外界的P-sub是隔離的，因此能削弱相互之間的影響。因為這個阱比壹般的N well要深很多，所以稱為deep N well。除了電位上的隔離，比如說有好幾種地電位（0V、-3.3V、-6V等），壹般會把害怕被別的模塊影響（reference電路、temperature sensor等）或者怕會去影響別的模塊的IP（PLL、OSC等）放在DNW裏面。
本工藝下用到的是1P6M的配置，只用到了M1~M6，1層多晶矽，6層金屬互連層，
e.g.：
v1：M1到M2之間的過孔
v2：M2到M3之間的過孔
（14）顯示版圖的所有層次：shift + f
（15）以框圖顯示版圖：ctrl + f
打散Pcell：
設置格點分辨率：
顯示連線關系：
options→display
（16）連線快捷鍵：p（敲p後點擊連接起始端，選擇要連的層，再單擊結束端，再回車結束）
（17）尺子：k
（18）清除尺子：shift + k
（19）畫矩形：r
（20）逐步縮小版圖：shift + z
（21）只看某壹層：(例如只看M1)LSW窗口選中M1，點擊NV，點擊版圖界面，敲f
（22）整體移動版圖某區域，且相應線拉伸：先將selection mode（options→selection）由full改為partial，然後左鍵框選相應區域，敲s後拖動到相應位置後，左鍵取消選中
襯底接觸環（N阱保護環），guard ring