在HC08系列單片機中，對Flash進行擦除或寫入操作需要遵循壹定的時序和步驟。對於整個MC68HC908系列的各個型號，這些步驟是壹樣的，但時序要求可能略有不同，針對具體型號的Flash進行編程時應參考相應的芯片手冊。同時需要註意的是，壹些型號的監控ROM內含有Flash編程子程序，用戶可直接調用，例如MC68HC908JL3；有的型號則沒有，例如MC908GP32，這種情況需自行編制子程序。下面介紹MC908GP32的Flash編程的基本操作。 下面過程可以擦除GP32的Flash存儲器的壹頁(128字節)：
①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位)：進行頁面擦除。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash頁內任意壹個地址寫入任意值，為方便起見，壹般向待擦除頁首地址寫入0。
④延時tnvs(>10?s)。
⑤$A→FLCR(1→HVEN位)。
⑥延時terase(>1ms)。
⑦$8→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延時tnvh(>5?s)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延時trcv(>1?s)，完成壹頁的擦除操作。 下面過程擦除GP32的整個Flash區域，以便把新的程序裝入Flash存儲器，這是應用系統研制過程中開發工具對GP32編程的準備工作。
①$6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位)：進行整體擦除。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash任意壹個地址寫入任意值，為方便起見，壹般向首地址寫入0。
④延時tnvs(>10?s)。
⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)。
⑥延時tMerase(>4ms)。
⑦$C→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延時tnvhl(>100?s)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)。
⑩延時trcv(>1?s)，完成整體擦除操作。 MC908GP32的Flash編程操作以行(64字節)為單位進行的。當然，壹次寫入可以小於壹行，但不能大於壹行。對於已經寫過的部分，未經擦除不能重新寫入變更其數據，否則將引起數據出錯。寫入過程如下:
①$1→FLCR(1→PGM位)。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向將要寫入的Flash行內任意壹個地址寫入任意值，為方便起見，壹般向行首地址寫入0，這壹步選定了所要編程的行，以下的目標地址必須在這壹行中。
④先延時tnvs(>10?s)；再將$9→FLCR(1→HVEN位)。
⑤先延時tpgs(>5?s)；再將待寫數據寫入對應的Flash地址。
⑥延時tprog(>30?s)，完成壹個字節的寫入(編程)工作。
⑦重復⑤、⑥，直至同壹行內各字節寫入完畢。
⑧$8→FLCR(0→PGM位)。
⑨先延時tnvh(>5?s)；再將$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延時trcv(>1?s)以後，完成本行寫入工作，可以讀出校驗。