定義：MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著）芯片﹔該芯片屬於UEC 的專利產品
特點：1、 采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.
3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4 倍)，更適應於高驅動電流領域。4、底部金屬反射層﹐有利於光度的提升及散熱
5、尺寸可加大﹐應用於High power 領域﹐eg : 42mil MB
GB芯片
定義：GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結合）芯片﹔該芯片屬於UEC 的專利產品
特點： 1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.
2﹕芯片四面發光﹐具有出色的Pattern
LED芯片
3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差於TS單電極TS芯片定義和特點
定義：TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬於HP 的專利產品。
特點：1.芯片工藝制作復雜﹐遠高於AS LED
2. 信賴性卓越
3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高
4.應用廣泛
定義：AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收襯底）芯片﹔經過近四十年的發展努力﹐臺灣LED光電業界對於該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處於成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發水平基本處於同壹水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺灣業界還有壹定的差距﹐在這裏我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點： 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對於常規芯片要亮
2. 信賴性優良
3. 應用廣泛
二極管芯片種類
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
5、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAs
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs[2]
4重要參數
1、正向工作電流If
它是指發光二極體正常發光時的正向電流值。在實際使用中應根據需要選擇IF在0.6·IFm以下。
2、正向工作電壓VF
參數表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。壹般是在IF=20mA時測得的。發光二極體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時，VF將下降。
3、V-I特性
發光二極體的電壓與電流的關系，在正向電壓正小於某壹值(叫閾值)時，電流極小，不發光。當電壓超過某壹值後，正向電流隨電壓迅速增加，發光。
4、發光強度IV
發光二極體的發光強度通常是指法線(對圓柱形發光管是指其軸線)方向上的發光強度。若在該方向上輻射強度為(1/683)W/sr時，則發光1坎德拉(符號為cd)。由於壹般LED的發光二極管強度小，所以發光強度常用燭光(坎德拉, mcd)作單位。
5、LED的發光角度
-90°- +90°
6、光譜半寬度Δλ
它表示發光管的光譜純度。
7、半值角θ1/2和視角
θ1/2是指發光強度值為軸向強度值壹半的方向與發光軸向(法向)的夾角。
8、全形
根據LED發光立體角換算出的角度，也叫平面角。
9、視角
指LED發光的最大角度，根據視角不同，應用也不同，也叫光強角。
10、半形
法向0°與最大發光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是最大發光強度值與最大發光強度值/2所對應的夾角。LED的封裝技術導致最大發光角度並不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是最大發光強度對應的角度與法向0°之間的夾角。
11、最大正向直流電流IFm
允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極體。
12、最大反向電壓VRm
所允許加的最大反向電壓即擊穿電壓。超過此值，發光二極體可能被擊穿損壞。
13、工作環境topm
發光二極體可正常工作的環境溫度範圍。低於或高於此溫度範圍，發光二極體將不能正常工作，效率大大降低。
14、允許功耗Pm
允許加於LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值，LED發熱、損壞。[3]
5芯片尺寸
大功率LED芯片有尺寸為38*38mil，40*40mil，45*45mil等三種當然芯片尺寸是可以訂制的，這只是壹般常見的規格。mil是尺寸單位，壹個mil是千分之壹英寸。40mil差不多是1毫米。38mil，40mil，45mil都是1W大功率芯片的常用尺寸規格。理論上來說，芯片越大，能承受的電流及功率就越大。不過芯片材質及制程也是影響芯片功率大小的主要因素。例如CREE 40mil的芯片能承受1W到3W的功率，其他廠牌同樣大小的芯片，最多能承受到2W。
6發光亮度
壹般亮度：R(紅色GaAsP 655nm)、H ( 高紅GaP 697nm )、G ( 綠色GaP 565nm )、Y ( 黃色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等；
高亮度：VG (較亮綠色GaP 565nm )、VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 較亮紅色GaA/AS 660nm )；
超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等；
三元晶片(磷﹑鎵 ﹑砷)：SR(較亮紅色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(最亮紅色GaAlAs 660nm)等；
四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、URF(最亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黃色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黃色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。
7襯底
對於制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。三種襯底材料：藍寶石（Al2O3）、矽（Si）、碳化矽（SiC）。
藍寶石的優點：1.生產技術成熟、器件質量較好 ;2.穩定性很好，能夠運用在高溫生長過程中; 3.機械強度高，易於處理和清洗。
藍寶石的不足：1.晶格失配和熱應力失配，會在外延層中產生大量缺陷；2.藍寶石是壹種絕緣體，在上表面制作兩個電極，造成了有效發光面積減少；3.增加了光刻、蝕刻工藝過程，制作成本高。
矽是熱的良導體，所以器件的導熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。
碳化矽襯底（CREE公司專門采用SiC材料作為襯底）的LED芯片，電極是L型電極，電流是縱向流動的。采用這種襯底制作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利於做成面積較大的大功率器件。優點： 碳化矽的導熱系數為490W/m·K，要比藍寶石襯底高出10倍以上。不足：碳化矽制造成本較高，實現其商業化還需要降低相應的成本。
8led特點
（1）四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對於常規芯片要亮。
（2）信賴性優良。
（3）應用廣泛。
（4）安全性高。
（5）壽命長。
9如何評判
led芯片的價格：壹般情況系下方片的價格要高於圓片的價格，大功率led芯片肯定要高於小功率led芯片，進口的要高於國產的，進口的來源價格從日本、美國、臺灣依次減低。
led芯片的質量：評價led芯片的質量主要從裸晶亮度、衰減度兩個主要標準來衡量，在封裝過程中主要從led芯片封裝的成品率來計算。
10日常使用
紅燈：9mil正規方片，（純紅）波長：620-625nm，上下60°、左右120°，亮度高達1000-1200mcd；
綠燈：12mil正規方片，（純綠）波長：520-525nm，上下60°、左右120°，亮度高達2000-3000mcd；
性能：具有亮度高、抗靜電能力強、抗衰減能力強、壹致性好等特點，是制作led招牌、led發光字的最佳選擇。
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16廠商介紹
臺灣LED芯片廠商
晶元光電（Epistar）簡稱：ES、（聯詮、元坤，連勇，國聯），廣鎵光電（Huga），新世紀（Genesis Photonics），華上（Arima Optoelectronics）簡稱：AOC，泰谷光電（Tekcore），奇力，鉅新，光宏，晶發，視創，洲磊，聯勝（HPO），漢光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）簡稱：TK，曜富洲技TC，燦圓（Formosa Epitaxy），國通，聯鼎，全新光電（VPEC）等。
華興（Ledtech Electronics）、東貝（Unity Opto Technology）、光鼎（Para Light Electronics）、億光（Everlight Electronics）、佰鴻（Bright LED Electronics）、今臺（Kingbright）、菱生精密（Lingsen Precision Industries）、立基（Ligitek Electronics）、光寶（Lite-On Technology）、宏齊(HARVATEK)等。
國內LED芯片廠商
三安光電簡稱（S）、上海藍光（Epilight）簡稱（E）、士蘭明芯（SL）、大連路美簡稱（LM）、迪源光電、華燦光電、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀晶源、廣州普光、揚州華夏集成、甘肅新天電公司、東莞福地電子材料、清芯光電、晶能光電、中微光電子、乾照光電、晶達光電、深圳方大，山東華光、上海藍寶等。
國際LED芯片廠商
CREE，惠普（HP），日亞化學（Nichia），豐田合成，大洋日酸，東芝、昭和電工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，歐司朗（Osram），GeLcore，首爾半導體等，普瑞，韓國安螢（Epivalley）等。
17防盜器
型號
參考資料
1． LED芯片註意事項 ．cob [引用日期2013-05-21] ．
2． LED芯片分類 ．LED.lights [引用日期2013-04-28] ．
3． LED芯片的重要參數及兩種結構分析 ．半導體器件應用網 [引用日期2013-07-10] ．
4． LED芯片及器件的分選測試 ．大比特商務網 [引用日期2013-05-3] ．
5． LED芯片使用常遇到的問題分析 ．大比特商務網 [引用日期2013-05-24] ．
led芯片的價格：壹般情況系下方片的價格要高於圓片的價格，大功率led芯片肯定要高於小功率led芯片，進口的要高於國產的，進口的來源價格從日本、美國、臺灣依次減低。
led芯片的質量：評價led芯片的質量主要從裸晶亮度、衰減度兩個主要標準來衡量，在封裝過程中主要從led芯片封裝的成品率來計算。