內存的性能指標有以下方面。
1、存儲速度：內存的存儲速度用存取壹次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速度就越快。
2、容量：內存的容量越大越不容易卡頓，但它要受到主板支持最大容量的限制。單條內存的容量有1GB、2GB、4GB等幾種。主板上通常都至少提供兩個內存插槽，若安有多條內存，則電腦內存的總容量是所有內存容量之和。
3、CL CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在壹定頻率下衡量不同規範內存的重要標誌之壹。
4、SPD芯片 SPD是壹個8針256字節的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 芯片.位置壹般處在內存條正面的右側, 裏面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。
5、工作電壓：由於低電壓內存要低於標準電壓1.5V保證穩定工作，因此生產低電壓內存要求更高的品質，出廠時內存電壓越高就代表內存品質越不好，這也是低電壓內存的優點之壹。因此，內存條高低電壓的區別就在於低壓內存條比高壓內存條耗電量低，更加環保。
擴展資料：
內存的構造和原理。
內存的內部結構是PC芯片中最簡單的，是由許多重復的“單元”——cell組成，每壹個cell由壹個電容和壹個晶體管（壹般是N溝道MOSFET）構成，電容可儲存1bit數據量，充放電後電荷的多少（電勢高低）分別對應二進制數據0和1。
由於電容會有漏電現象，因此過壹段時間之後電荷會丟失，導致電勢不足而丟失數據，因此必須經常進行充電保持電勢，這個充電的動作叫做刷新，因此動態存儲器具有刷新特性，這個刷新的操作壹直要持續到數據改變或者斷電。
而MOSFET則是控制電容充放電的開關。DRAM由於結構簡單，可以做到面積很小，存儲容量很大。