內存序列號
從PC100標準開始，內存條上有壹個SPD芯片。SPD芯片是記憶棒正面右側的壹個8針小芯片，存儲著記憶棒的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。啟動時，支持SPD功能的主板BIOS會讀取SPD中的信息，並根據讀取的值設置內存訪問時間。我們可以借助SiSoft Sandra2001等工具查看SPD芯片中的信息。例如，軟件中顯示的SDRAM PC133U-333-542表示被測內存的技術規格。
內存技術規格的統壹標註格式壹般是PCx-xxx-xxx，但不同的內存規格有不同的格式。
1、PC66/100 SDRAM內存標簽格式
(1) 1.0-1.2版本
該版本的內存標註格式為:PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中A代表標準工作頻率，用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等。);b代表最小CL(即CAS列訪問的延遲)，用時鐘周期數表示，壹般為2或3；c代表最小TRCD(RAS相對於CAS的延遲)，用時鐘周期數表示，壹般為2；d代表TRP(RAS的RAS潛伏期)，用時鐘周期數表示，壹般為2；e代表最大tAC(相對於時鐘下沿的數據讀取時間)，壹般為6(ns)或6。5、越短越好；f代表SPD版本號。所有的PC100內存條都有EEPROM記錄這個內存條的相關信息，符合Intel PC100規範的是1。版本2或以上；g代表修訂版；h代表模塊類型；r表示註冊了DIMM，256MB以上的內存必須註冊。
(2)1.2b+版本
其格式為:PCa-bcd-eeffghR，如PC100-322-54122R，其中A代表標準工作頻率，單位為MHZb代表最小CL(即CAS列訪問的延遲)，用時鐘周期數表示，壹般為2或3；c代表最小TRCD(RAS相對於CAS的延遲)，用時鐘周期數表示；d代表TRP(RAS的RAS潛伏期)，用時鐘周期數表示；Ee代表相對於時鐘下沿的數據讀取時間，用不帶小數點的方式表示，比如54代表5.4ns tAC；Ff代表SPD版本，比如12代表1.2的SPD版本；g代表修訂版，比如2代表修訂版1.2；h代表模塊類型；r表示註冊了DIMM，256MB以上的內存必須註冊。
2.PC 133 SDRAM(2.0版)的存儲器標簽格式
威盛和英特爾都提出了PC133的SDRAM標準。威盛推的PC133的規格是PC133 SDRAM = 3，擴展了PC100的大部分規格，比如168線的SDRAM，工作電壓3.3V，SPD。Intel的PC133規格更嚴格，即PC133 CAS=2，要求內存芯片至少7.5ns，最好在133MHz達到CAS=2。
PC133 SDRAM的格式為:PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中A代表標準工作頻率，單位為MHZ；b代表模塊類型(R代表註冊的DIMM，U代表無緩沖的DIMM；c代表最小CL(即CAS的延遲時間)，用時鐘周期數表示，壹般為2或3；d表示RAS相對於CAS的延遲，用時鐘周期數表示；e代表RAS cas延遲，用時鐘周期數表示；Ff表示相對於時鐘下沿的數據讀取時間，表示時不帶小數點，例如54表示5.4ns tAC；g代表SPD版本，比如2代表SPD 2.0版本。
3.PC 1600/2100 DDR SDRAM(版本1.0)的內存標註格式。
格式為PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a代表內存帶寬，單位為MB/s；A*1/16=內存的標準工作頻率，例如2100表示內存帶寬為2100MB/s，對應的標準工作頻率為2100 * 1/16 = 65438+。b代表模塊類型(R代表註冊的DIMM，U代表無緩沖的DIMM；Cc代表CAS延遲時間，用不帶小數點的時鐘周期數表示，如CL=2.5時為25；；d表示RAS相對於CAS的延遲，用時鐘周期數表示；e代表RAS cas延遲，用時鐘周期數表示；Ff代表相對於時鐘下沿的數據讀取時間，用不帶小數點的方式表示，比如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，比如0代表1.0的SPD版本。
4.RDRAM內存標簽格式
其格式為:aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中A代表內存容量；b代表記憶棒上存儲粒子的數量；c代表支持ECC的內存；；d預訂；e代表存儲器的數據傳輸速率，e*1/2=存儲器的標準工作頻率。比如800代表存儲器的數據傳輸速率是800Mt/s，對應的標準工作頻率是800*1/2=400MHZ。
5、制造商的存儲芯片編號
存儲器造假的方法不僅可以識別存儲器標簽的格式，還可以利用刻在存儲器芯片上的數字。壹般壹個內存條上有多個內存條，內存條上的編號因為廠商不同而不同。
由於韓國的HY和SEC占全球內存產量的壹半以上，所以他們的內存芯片質量穩定，價格也不高。此外，LGS，金馬，金榜金條和其他記憶在市場上很受歡迎。我們先來看看他們的內存條號。
(1)現代(現代)
現代SDRAM內存的兼容性非常好，支持DIMM的主板壹般都能流暢使用。SDRAM芯片的序列號格式為:HY5A B CDEFG H I J KLM-NO。
其中HY代表現代產品；5a代表芯片類型(57=SDRAM，5D = DDR SDRAM)；);b代表工作電壓(空白=5V，v = 3.3v，u = 2.5v)；Cde代表容量和刷新率(16 = 16m位，4K Ref，64 = 64m位，8K Ref，65 = 64m位，4K Ref，128 = 128m位，8K Ref，129 = Fg代
手表芯片輸出的數據位寬度(40，80，16，32分別代表4位，8位，16位，32位)；h代表內存芯片中的幾個存儲體(1，2，3分別代表2，4，8個存儲體，是2的冪)；I代表接口(0 = LV TTL[低壓TTL]接口)；j代表內核版本(可以是空白，也可以是A、B、C、D等字母。，後者代表較新的內核)；k代表功耗(L=低功耗芯片，空白=普通芯片)；Lm代表包裝形式(JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm。
TSOP-II)；No代表速度(7 = 7 ns [143mhz]，8 = 8 ns [125mhz]，10p = 10n s[PC-100 Cl2或3]，10s = 65438。10 = 10n s〔100 MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕。
比如HY57V658010CTC-10s，HY代表現代芯片，57代表SDRAM，65代表64Mbit和4K刷新周期/64ms，8是8位輸出，10是兩個Bank，C是第四個版本的內核，TC是400 mil的TSOP-II封裝，還有。
市場上HY常見的數字有HY 57v 65 xxxxx XT cxx，HY57V651XXXXXATC10，其中SDRAM上的ATC10的數字難度相當大；ATC8的數字可以超過124MHz，但是上不了133MHz。133MHz在SDRAM編號的BTC或-7和-10p上非常穩定。壹般來說，序列號的後兩位是7K，也就是說內存的外頻是PC100，75的外頻是PC133。但是，結尾號為75的現代記憶已經停產，改了。
市面上有很多PC133尾號為75的現代內存如果改成T-H的尾號，這可能是以前的股票，但可能性很小，假貨的可能性更大，所以最好買尾號為T-H的現代內存。
(2)LGS〔LG半導體〕
現在LGs已經被HY合並了，LGs的內存條在市面上也很常見。
LGS SDRAM內存條的數字格式為:GM72V ab cd e 1 f g T hi。
其中GM代表LGS產品；72代表SDRAM；Ab代表容量(16=16Mbits，66 = 64 mbits)；Cd代表數據位寬度(壹般為4，8，16等。);e代表銀行(2=2家銀行，4=4家銀行)；f代表內核版本，已經至少排到E了；g代表功耗(L=低功耗，空白=正常)；T代表包(T=普通TSOPⅱⅱ包，I=BLP包)；Hi代表速度(7.5 = 7.5 ns [133 MHz]，8 = 8 ns [125 MHz]，7K = 10 ns [PC-100 Cl2或3]，7J = 10 ns [65438]。12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕).
比如GM72V661641T7K的意思是LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4 Bank，7K的速度是PC-100，CL=3。
在LGS號碼的後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，比7K/7J快；7K和7J同屬於PC 100的SDRAM，兩者的主要區別在於反應速度第三參數7K比7J快，7K在133MHz更穩定。10K屬於非PC100規格，速度極慢。由於其外觀與7J/7K相似，很多奸商冒充7J/7K出售。
(3)Kingmax(盛創)
Kingmax的內存采用先進的TinyBGA封裝，普通SDRAM內存采用TSOP封裝。TinyBGA封裝的內存是TSOP封裝的三分之壹，同樣的空間可以增加三倍的存儲容量，而且更小更薄。金屬基板到散熱器的最有效散熱路徑只有0.36mm，線路阻抗也小，所以有很好的超頻性能和穩定性，但是Kingmax內存和主板芯片組的兼容性不好，比如Kingmax PC150內存。
目前Kingmax SDRAM有三種內存:PC150，PC133，PC100。其中，PC150內存(下圖)實際上是最好的PC133內存條，可以用於150的外頻，可以穩定在CL=3(有的可以用於CL=2)。該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X芯片組主板的兼容問題，所以比REV65438+要好。買Kingmax內存的時候要註意不要買拋光條。JS經常把原版8ns投放市場。
Kingmax PC100內存打磨成7ns PC133或PC150內存，所以妳最好用SISOFT SANDRA2001等軟件測試壹下內存的速度，註意內存上的字跡是否清晰，是否有規則的劃痕，芯片表面是否發白等。，並看到芯片上的數字。
KINGMAX PC150采用6納秒粒子，速度大幅提升。即使妳用它在PC133工作，它的速度也會比普通PC133快。Kingmax的PC133內存條是-7，比如編號ksv 884 T4 a 1A-07；-07;PC100的內存條有兩種情況:有的是-8(比如編號KSV884T4A0-08)，有的是-7(比如編號KSV884T4A0-07)。KINGMAXPC133和PC100的區別在於，PC100的相當壹部分內存可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存可以保證100%穩定工作在PC133 (CL=2)的外部頻率下。
(4)Geil(金榜、元喬峰金條)
金榜金條分為金、紅、綠、銀、藍五種記憶條，各種金榜金。
每個條的SPD是確定的，對應不同的主板。紅色金條是PC133內存；黃金金條P適用於PC133服務器系統和雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍色A色金條針對AMD750/760 K7主板和超頻玩家；藍色V色金條對準KX133主板；藍色T色金條針對KT-133主板；銀金條是筆記本電腦用的PC133內存。
金榜內存條芯片編號為GL 2000 gp6lc 16m 84 TG-7 Amir 0032。
其中GL2000代表芯片類型(GL2000= Millennium TSOPs，即小薄封裝，黃金SDRAM = BLP)；GP代表金榜科技的產品；6代表產品系列(6 = SDRAM)；LC代表加工工藝(C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，v = 2.5v Vdd CMOS)；16M8為設備號(深度*寬度，內存芯片容量=內存區組容量*區組號= 16 * 8 =128Mbit，其中16 =內存區組容量；8 =晶粒數；M =容量單位，無字母=位，K=KB，M=MB，g = GB)；4表示版本；TG是封裝代碼(DJ=SOJ，DW=寬SOJ，F=54針4線FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=倒裝芯片封裝，FQ=倒裝。LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2線微型FBGA，R2=84針2線微型FBGA，TG=TSOP(二代)，U =μBGA)；-7是訪問時間(7 = 7 ns(143 MHz))；阿米爾是內部標準
知道號碼。以上數字表示金榜千年條，128MB，TSOP(二代)封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工藝，7ns，143MHz速度。
(5)SEC(三星電子)
三星EDO DRAM內存芯片號，例如KM416C254D表示:KM表示三星內存；4代表RAM的類型(4 = DRAM)；16代表x16的內存芯片組成(1 = x 1[1的倍數]，4=x4，8=x8，16 = x 16)；C代表電壓(C=5V，v = 3.3v)；254代表內存密度256Kbit(256[254] =256Kx，512(514)= 512k x，1 = 1Mx，4 = 4Mx，8 = 8Mx，6550。D代表內存版本(blank = 1代，A= 2代，B= 3代，C= 4代，D= 5代)，即三星256Kbit*16=4Mb內存。
三星SDRAM內存芯片編號，比如KM 416s 16230 a-g 10的意思是:KM表示三。
明星記憶；4代表RAM的類型(4 = DRAM)；16代表x16的內存芯片組成(4 = x4，8 = x8，16 = x 16)；s代表SDRAM；16代表16Mbit的內存芯片密度(1 = 1M，2 = 2M，4 = 4M，8 =8M，16 = 16m)；2代表刷新(0 = 4K，1 = 2K，2 = 8k)；3表示內存排數(2=2排，3=4排)；0代表內存接口(0=LVTTL，1 = sstl)；A代表內存版本(空白= 1代，A =代，B =代)；G代表電源(G=自動刷新，F=低電壓自動刷新)；10代表最高頻率(7 =7ns[143MHz]，8 = 8ns[125 MHz]，10 = 10 ns[100 MHz]，H = 100 MHz)。三星的產能需要自己算。方法是將“S”後面的數乘以S前面的數，結果就是容量，即三星的16m * 16 = 256 mbit SDRAM內存芯片刷新到8K，內存條為3，內存接口LVTTL，二代內存自動刷新。速度是
10納秒(100兆赫).
三星PC133標準SDRAM內存條格式如下:
無緩沖型:kmm3 xx xxxxbt/BTS/ATS-GA。
註冊型號:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM內存芯片號，例如KM416H4030T表示:KM表示三星內存；4代表RAM的類型(4 = DRAM)；16代表x16的內存芯片組成(4=x4，8=x8，16=x16，32 = x32)；H代表內存電壓(H=DDR SDRAM[3.3V]，L = DDR SDRAM[2.5v])；4代表內存密度為4Mbit(4=4M，8 = 8M，16 = 16M，32 = 32M，64 = 64M，12 = 128M，25 =
256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G)；0代表刷新(0 = 64m/4K [15.6μs]，1 = 32m/2K)。
[15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs])；3表示內存排數(3=4排，4=8排)；0代表接口電壓(0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)，1 = sstl _ 2(2.5v))；T代表封裝類型(T=66引腳
TSOP II，B=BGA，C=微型BGA(CSP))；Z代表速度133 MHz (5 = 5 ns，200 MHz (400 Mbps)，6 = 6ns，166MHz (333Mbps)，Y = 6.7ns，150MHz (300Mbps)，Z = 7.5 ns，65433。125MHz (250Mbps)，0 = 10ns，100MHz (200Mbps)。即三星4Mbit*16=64Mbit內存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K。
(15.6μs)，內存條數4排(兩邊兩排)，接口電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM內存芯片號，比如KM418RD8C的意思是:KM表示三星內存；4代表RAM的類型(4 = DRAM)；18代表x18的內存芯片組成(16 = x16，18 = x 18)；RD代表產品類型(RD = direct rambus dram)；8代表內存芯片密度8M(4 = 4M，8 =8M，16 = 16m)；C代表封裝類型(C = micro BGA，D = micro BGA[反向CSP]，w = wl-CSP)；80代表速度(60 = 600Mbps，80 = 800Mbps)。也就是三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。
(6)微米(微米)
美光公司是世界著名的內存廠商之壹(如右圖美光PC143 SDRAM內存條)，其SDRAM芯片編號格式為:mt48ab CDM ef ag TG-hi j。
其中MT代表美光產品；48代表產品家族(48=SDRAM，4=DRAM，46=DDR SDRAM，6 = Rambus)；Ab代表加工工藝(C=5V Vcc CMOS，LC = 3.3VVDCMOS，V = 2.5 vvdc mos)；CdMef設備號(深度*寬度)，不帶字母=比特，K =千比特(KB)，M =兆比特(MB)，g =千兆字節(GB) MRI cron容量= CD * efEf代表數據位寬度(4，8，16和32分別代表4，8，16和32位)；Ag代表寫恢復[twr](a2 = twr = 2 clk)；TG代表封裝(TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW= wide SOJ，F=54針4排FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針1 * 13 FBGA，FP=倒裝芯片。
R2 FBGA = 84微FBGA帶2排引腳，U =μBGA)；j代表功耗(L=低功耗，空白=正常)；Hj代表速度，分為以下四類:
(a)，DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM(時鐘速率@ CL3)-15=66MHz，-12=83MHz，-65438+。-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5 = 200mhz DDR SDRAM。
(b) Rambus(時鐘頻率)
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，含義為-3M=300MHz 53ns+ -8E支持PC66和PC100(CL2和CL3)-75支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL=3
(C)、DDR SDRAM
-8支持PC200(CL2)-75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5)-7支持PC200(CL2)、PC266B(CL2)和PC266A(CL=2.5)。比如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES代表美光的SDRAM，16 M8 = 16 * 8mb = 128 MB，133MHz。
(7)其他內存芯片的數量
NEC的內存芯片號，例如μPD4564841G5-A80-9JF，意思是:μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表64MB的容量；；8表示數據位寬度(4、8、16和32分別表示4位、8位、16位和32位，數據位寬度為16位和32位時使用兩位)；4代表銀行數(3或4代表4家銀行，2家銀行在16和32)；2代表2個銀行)；);1代表LVTTL(例如，16
二位32位的芯片是二位，第二位有雙重含義，如1代表兩個銀行和LVTTL，3代表四個銀行和LVTTL)；G5是TSOPII包；-A80代表速度:當CL=3時，可以工作在125 MHz；當CL = 100MHZ時，可以設置為2 (80 = 8ns [125mhz Cl 3]，10 = 10n s[PC 100 CL])。Tac為7，不完全符合PC100規範，12=12ns，70=[PC133]，75 =[PC 133])；JF代表包裝形狀(nf = 44-pintsop-ii；JF=54引腳TSOPIIJH=86針TSOP-II).
日立的內存芯片編號，如HM5264805F -B60，表示HM代表日立的產品；52是SDRAM類型(51=EDO DRAM，52 = SDRAM)；64代表64MB的容量；；80代表數據位寬度(40、80和16分別代表4位、8位和16位)；5F表示是哪個版本的內核(至少現在已經排到“F”了)；空白表示功耗(L=低功耗，空白=正常)；TT是TSOII包；B60代表速度(75 = 7.5ns [133mhz]，80 = 8ns [125mhz]，A60 = 10ns [PC-100cl2或3]，B60 = 10ns [PC]。
西門子內存條的序列號格式為:HYB39S ab cd0 e T f -gh，其中ab為容量，gh為速度(6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8b。
東芝的內存芯片編號，如TC59S6408BFTL-80，表示TC代表東芝的產品；59代表SDRAM(後面是S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W = DDR SDRAM)；64代表容量(64=64Mb，M7 = 128 MB)；08代表數據位寬度(04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；b代表內核的版本；FT是TSOPII封裝(如果FT後面有字母L =低功耗，空白=正常)；80代表速度(75 = 7.5 ns [133 MHz]，80 = 8 ns [125 MHz]，10 = 10 ns[100 MHz CL = 3])。
IBM的內存芯片編號，例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM產品；03代表SDRAM；16代表16MB的容量；；80代表數據位寬度(40、80和16分別代表4、8和16位)；C代表功耗(P=低功耗，C=正常)；d代表內核的版本；10代表速度(68 = 6.8 ns [147 MHz]，75a = 7.5 ns [133 MHz]，260或222 = 10 ns [PC 100 Cl2或3]，360或322 =。CL=3時260和360的校準速度分別為:135MHZ，10 = 10 ns[100 MHz]。