由於閃存顆粒中存儲密度存在差異，所以閃存又分為SLC、MLC、TLC和QLC。簡單的說，NAND閃存的基本原理，QLC容量大，但性能也變差了。
SLC：每個Cell單元存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，反映出來的特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間，但缺點就是容量低而成本高，畢竟壹個Cell單元只能存儲1bit信息。
MLC：每個cell單元存儲2bit信息，需要更復雜的電壓控制，有00,01,10,11四種變化，這也意味著寫入性能、可靠性能降低了。其P/E壽命根據不同制程在3000-5000次不等。
TLC：每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到001有8種變化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構更復雜，P/E編程時間長，寫入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次，部分情況會更低。壽命短只是相對而言的，通常來講，經過重度測試的TLC顆粒正常使用5年以上是沒有問題的。
QLC或者可以叫4bit MLC，電壓有16種變化，但是容量能增加33%，就是寫入性能、P/E壽命與TLC相比會進壹步降低。具體的性能測試上，美光有做過實驗。讀取速度方面，SATA接口中的二者都可以達到540MB/S，QLC表現差在寫入速度上。
因為其P/E編程時間就比MLC、TLC更長，速度更慢，連續寫入速度從520MB/s降至360MB/s，隨機性能更是從9500 IOPS降至5000 IOPS，損失將近壹半。
分類
按種類分
U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe閃存卡。
按品牌分
矽統（SIS）、金士頓、索尼、LSI、閃迪、Kingmax、鷹泰、創見、愛國者、紐曼、威剛、聯想、臺電、微星、SSK、三星、海力士。
以上內容參考：百度百科-閃存