AGP(Accelerated Graphics Port) －圖形加速接口
Intel開發的用於提高圖形處理速度的接口。它可以讓圖形的數據流直接在顯卡主控芯片和內存之間通信，不必經過顯存。
Access Time－存取時間
RAM 完成壹次數據存取所用的平均時間（以納秒為單位）。存取時間等於地址設置時間加延遲時間（初始化數據請求的時間和訪問準備時間）。
Address-地址
就是內存每個字節的編號。目的是按照該編號準確地到該編號的內存去存取數據。
ANSI (American National Standards Institute)
美國國家標準協會 - 壹個專門開發非官方標準的非贏利機構，其目的在於提高美國工業企業的生產率和國際競爭力。
ASCII （American Standard Code for Information Interchange）
美國信息互換標準代碼--將文本編碼為二進制數的壹種方法。 ASCII 編碼體系采用了8位二進制數的256種組合，來映射鍵盤的所有按鍵。用於數據處理系統，數據通訊系統及相應設備中進行信息交換。ASCII字符集由控制字符和圖形字符組成。
Async SRAM-異步靜態內存
壹種較為陳舊的SRAM，通常用來做電腦上的Level 2 Cache。
BSB (Backside Bus)
後端總線- CPU 和 L2 cache 之間的數據通道。
Bandwidth－帶寬
1、 傳輸數據信息的能力。信息交換的形式多種多樣，可以通過但根電線，也可以通過總線或信道的並行線。壹言以蔽之，就是單位時間內數據的移動量，通常用位/ 秒、字節/秒或赫茲（周/秒）表示。
2、 內存的數據帶寬：壹般指內存壹次能處理的數據寬度，也就是壹次能處理若幹位的數據。30線內存條的數據帶寬是8位，72線為32位，168線可達到64位。
Bank （參照memory bank）－內存庫
在內存行業裏，Bank至少有三種意思，所以壹定要註意。
1、 在SDRAM內存模組上，"bank 數"表示該內存的物理存儲體的數量。（等同於"行"/Row）
2、 Bank還表示壹個SDRAM設備內部的邏輯存儲庫的數量。（現在通常是4個bank）。
3、 它還表示DIMM 或 SIMM連接插槽或插槽組，例如bank 1 或 bank A。這裏的BANK是內存插槽的計算單位（也叫內存庫），它是電腦系統與內存之間數據總線的基本工作單位。只有插滿壹個BANK，電腦才可以正常開機。舉個例子，奔騰系列的主板上，1個168線槽為壹個BANK，而2個72線槽才能構成壹個BANK，所以72線內存必須成對上。原因是，168線內存的數據寬度是64位，而72線內存是32位的。主板上的BANK編號從BANK0開始，必須插滿BANK0才能開機，BANK1以後的插槽留給日後升級擴充內存用，稱做內存擴充槽。
Bank Schema －存儲體規劃
壹種圖解內存配置的方法。存儲體規劃由若幹用來表示電腦主板上的內存插槽的行或列組成。行表示獨立的插槽；列代表bank數。
Base Rambus －初級的Rambus內存
第壹代的Rambus內存技術，1995年面市。
Baud －波特
1、 表示通訊速率的壹種單位，等於每秒傳輸壹個碼元。
2、 在異步傳輸中，表示調制速率的壹種單位，相當於每秒壹個單位間隔。
BGA (Ball Grid Array)－球狀引腳柵格陣列封裝技術
這是最近幾年開始流行的高密度表面裝配封裝技術。在封裝的底部，引腳都成球狀並排列成壹個類似於格子的圖案，由此命名為BGA。目前的主板控制芯片組多采用此類封裝技術，材料多為陶瓷。
Binary －二進制
把數字或信息表示為若幹bit的壹種編碼規則。二進制（也叫base 2）中，所有數字都是由1和0這兩個數字的組合來表示。
BIOS (Basic Input-Output System) －基本輸入/輸出系統
啟動時自動加載的例行程序，用來為計算機的各種操作做準備。
Bit－位、比特
計算機所能處理信息的最小單位。因為是二進制，所以壹個bit的值不是1就是0。
BLP－底部引出塑封技術
新壹代內存芯片封裝技術，其芯片面積與封裝面積之比大於1：1.1，符合CSP封裝規範。此類內存芯片不但高度和面積小，而且電氣特性也得到了提高。
Buffer－緩沖區
壹個用於存儲速度不同步的設備或優先級不同的設備之間傳輸數據的區域。通過緩沖區，可以使進程之間的相互等待變少，從而使從速度慢的設備讀入數據時，速度快的設備的操作進程不發生間斷。
Buffered Memory－帶緩沖的內存
帶有緩存的內存條。緩存能夠二次推動信號穿過內存芯片，而且使內存條上能夠放置更多的內存芯片。帶緩存的內存條和不帶緩存的內存條不能混用。電腦的內存控制器結構，決定了該電腦上帶緩存的內存還是上不帶緩存的內存。
BEDO (Burst EDO RAM) －突發模式EDO隨機存儲器
BEDO內存能在壹個脈沖下處理四個內存地址。形象地說，它壹次可以傳輸壹批數據。總線的速度範圍從50MHz 到 66MHz (與此相比，EDO內存速度是33MHz，FPM內存的速度是25MHz)。
Burst Mode－突發模式
當處理器向壹個獨立的地址發出數據請求時，引發的數據區塊（連續的壹系列地址）高速傳輸現象
Bus－總線
計算機的數據通道，由各種各樣的並行電線組成。CPU、內存、各種輸入輸出設備都是通過總線連接的。
Bus Cycle－總線周期
主存和CPU之間的壹次數據交流。
Byte－字節
信息量的單位，每八位構成壹個字節。字節是壹個用於衡量電腦處理信息量的常用的基本單位；幾乎電腦性能和技術規格的各個方面都用字節數或其若幹倍數來衡量（例如KB，MB）。
Cacheability－高速緩存能力
主板芯片組的高速緩存能力，是指主存能夠被L2 Cache所高速緩存的最大值。比方說，TX芯片組的主板由於L2 Cache對主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以當CPU讀取64MB之後的內存時無法使用高速緩存，系統性能就無法提高了。
Cache Memory－高速緩存存儲器
也叫cache RAM，在CPU旁邊或附帶在CPU上的壹小塊高速內存(壹般少於 1M聯系著CPU和系統內存。Cache memory 為處理器提供最常用的數據和指令。Level 1 cache也叫主高速緩存 (primary cache)， 是離CPU最近的高速緩存，容量只有8KB~6KB，但速度相當快。Level 2 cache 也叫次高速緩存(secondary cache)，是離CPU第二近的高速緩存，通常焊接在主板上，容量壹般為64KB~1MB，速度稍慢。
CAS (Column Address Strobe)－列地址選通脈沖
在內存的尋址中，鎖定數據地址需要提供行地址和列地址，行地址的選通由RAS控制，列地址的選通由CAS決定。
CL（CAS Latency ）－列地址選通脈沖時間延遲
CL反應時間是衡定內存的另壹個標誌。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令後的反應速度。壹般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內存標準中，這個數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規範中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在壹定程度上，對於內存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是壹個不可不察的因素。
CDRAM （Cache DRAM）－快取動態隨機存儲器
同EDRAM（Enhanced DRAM）
Checksum－檢驗和，校驗和
在數據處理和數據通信領域中，用於校驗目的的壹組數據項的和。這些數據項可以是數字或在計算檢驗和過程中看作數字的其它字符串。
參考Parity（校驗）
Chipset－芯片組
把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽連接到CPU的外部控制邏輯電路，通常是兩個或兩個以上的微芯片，故稱做芯片組。芯片組通常由幾個控制器構成，這些控制器能夠控制信息流在處理器和其他構件之間的流動方式。
Chip-Scale Package (CSP)－芯片級封裝
薄芯片封裝，其電路連接通常是采用BGA（球狀引腳格狀陣列）。這種封裝形式壹般用於RDRAM（總線式動態內存）和 flash memory（閃存）。
Compact Flash－緊湊式閃存
壹種結構輕小的存儲器，用於可拆卸的存儲卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作電壓低，掉電後數據不丟失。應用範圍包括：數碼相機、移動電話、打印機、掌上電腦、尋呼機，以及錄音設備。
Concurrent Rambus－並發式總線式內存
Rambus內存的第二代技術產品。Concurrent Rambus內存壹般用於圖形工作站、數碼電視、視頻遊戲機。
Continuity RIMM (C-RIMM)－連續性總線式內存模組
壹種不帶內存芯片的直接總線式內存模組（Direct Rambus）。C-RIMM 為信號提供了壹個連續的通道。在直接總線式內存系統中，開放的連接器必須安裝C-RIMM。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomductor）－互補金屬氧化物半導體
用於晶體管的壹種半導體技術，結合了N型與P型晶體管的優勢，現在主要用於電腦芯片，如存儲器、 處理器等。
CPU (Central Processing Unit)－中央處理單元
計算機芯片的壹種，其主要職能是解釋命令和運行程序。CPU也叫處理器（processor）或微處理器（microprocessor）。
Credit Card Memory －信用卡內存
主要用於膝上型電腦和筆記本電腦的壹種內存。其外型尺寸猶如壹個信用卡，因此而得名。
CSRAM
同Pentium II Xeron匹配的壹種高速緩存，容量為512KB。
DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 雙數據輸出同步動態存儲器。
DDR SDRAM 從理論上來講，可以把RAM的速度提升壹倍，它在時鐘的上升沿和下降沿都可以讀出數據。
Desktop－臺式機，桌上型電腦
Die－模子，芯片顆粒
DIME （Direct Memory Execution）
直接內存執行功能
DIMM（Dual-In line Memory Module）－雙邊接觸內存模組
形象的說：內存條正反兩面金手指是不導通的，如常見的有100線、168線、200線內存（long Dimm）和72線、144線（SO-Dimm）。DIMM壹般有64位帶寬，並且正反面相同位置的引腳不同；而SIMM壹般只有32位帶寬，需要兩條兩條同時使用，壹般通過72線金手指與主板相連。
Direct Rambus－直接總線式隨機存儲器
Rambus 技術的第三代產品，它為高性能的PC機提供了壹種全新的DRAM 結構。現在的SDRAM在64-bit的寬帶總線上速度只有100MHz；與此相對照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其數據傳輸速度可高達800MHz 。
DIP (Dual In-line Package)－雙列直插式封裝，雙入線封裝
DRAM 的壹種元件封裝形式。DIP封裝的芯片可以插在插座裏，也可以永久地焊接在印刷電路板的小孔上。在內存顆粒直接插在主板上的時代，DIP 封裝形式曾經十分流行。 DIP還有壹種派生方式SDIP（Shrink DIP,緊縮雙入線封裝），它比DIP的針腳密度要高6六倍。
Direct RDRAM－直接總線式動態隨機存儲器
該設備的控制線和數據線分開，帶有16位接口、帶寬高達800 MHz，效率大於90% 。壹條Direct RDRAM 使用兩個8-bit 通道、工作電壓2.5V ，數據傳輸率可達到1.6 GBps 。 它采用壹個分離的8位總線（用於地址和控制信號），並拓寬了8到16位或9到18位數據通道，時鐘達到400 MHz ，從而在每個針（pin）800Mbps的情況下（***計1.6 GBS）使可用數據帶寬最大化。
DMA （Direct Memory Access）－直接內存存取
通常情況下，硬盤光驅等設備和內存之間的數據傳輸是由CPU來控制的。但在DMA模式下，CPU只須向DMA控制器下達指令，讓DMA控制器來處理數的傳送，數據傳送完畢再把信息反饋給CPU。這樣，CPU的負擔減輕了，數據傳輸的效率也有所提高。
DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－動態隨機存儲器
最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM 必須隔壹段時間刷新（refresh）壹次。如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。
Dual Independent Bus (DI－雙重獨立總線
英特爾開發的壹種總線結構，因為它通過兩個分開的總線（前端總線和後端總線）訪問處理器，所以DIB能提供更大的帶寬。奔騰II電腦就有DIB總線。
ECC（Error Correcting Code）－錯誤更正碼，糾錯碼
ECC是用來檢驗存儲在DRAM中的整體數據的壹種電子方式。ECC在設計上比parity更精巧，它不僅能檢測出多位數據錯誤，同時還可以指定出錯的數位並改正。通常ECC每個字節使用3個Bit來糾錯，而parity只使用壹個Bit。
ECC另有壹種解釋是Error Checking & Correction ,既錯誤檢查與更正。
帶ECC的內存比普通SDRAM內存多1、2個芯片，價格很昂貴，壹般用在工作站或服務器上。
EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－擴展數據輸出動態存儲器
有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的讀取方式取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下壹個頁面，從而提高了工作效率（約比傳統的DRAM快15~30%）。
EDO內存壹般為72線（SIMM），也有168線（DIMM），後者多用於蘋果公司的Macintosh電腦上。
EDRAM (Enhanced DRAM)－增強型動態隨機存儲器
動態隨機存儲器的壹種，內部集成2 或 8 Kbit靜態隨機存儲器（SRAM，Static Random Access Memmory），用於緩存讀取過的信息。如果下次讀取的數據在SRAM內，則直接輸出以加快讀取速度，否則再到DRAM內尋找。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
電可擦可編程只讀存儲器--壹種掉電後數據不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。壹般用在即插即用（Plug & Play）接口卡中，用來存放硬件設置數據；防止軟件非法拷貝的"硬件鎖"上面也能找到它。
EISA (Extended ISA)－擴展工業標準結構
將附加卡（例如視頻卡、內置式MODEM等）連接到PC機主板的壹種總線標準。EISA有壹個32位的數據通道，使用能夠接受ISA卡的連接器。不過，EISA卡只能與EISA系統匹配。EISA總線的操作頻率比ISA高得多，並且能夠提供比ISA快得多的數據吞吐率。
EMI （Electron-Magnetic Interference）－電磁幹擾
任何產生電磁場的電子設備都會或多或少地產生噪聲場，幹擾其附近的電子設備，這種現象就叫做電磁幹擾。
EMS（Expanded Memory Specification）－擴充內存規範
這是由AST、Intel、微軟公司***同開發的壹種能讓DOS突破640KB尋址範圍的規範，可以讓DOS對640KB甚至1M之間的地址進行頁面式的訪問。需要有專用的驅動管理程序支持，如EMM386.EXE
EOS (ECC on SIMM)
IBM公司的壹種數據完整性檢測技術，它的壹個明顯特征就是在SIMM（單邊接觸內存模組）上帶有檢測數據完整性的ECC（自動檢錯碼）芯片。
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可編程只讀存儲器
壹種可以重復利用的可編程芯片。其內容始終不丟失，除非您用紫外線擦除它。壹般給EPROM 編程或擦除內容時，需要用專用的設備。
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增強型同步動態內存
Enhanced Memory Systems, Inc 公司開發的壹種SDRAM，帶有壹個小型的靜態存儲器。在嵌入式系統中， ESDRAM代替了昂貴的SRAM （靜態隨機存儲器），其速度與SRAM相當，但成本和耗電量卻比後者低得多。
Even Parity－偶校驗
壹種來檢測數據完整性的方法。與奇校驗相反，8個數據位與校驗位加起來有偶數個1。具體參考Odd Parity奇校驗。
FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期隨機存儲器
東芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在開發的壹種內存技術。開發FCRAM 的目的不是用來做PC機的主存，而是用在某些特殊的設備：例如壹些高端服務器、打印機，還有壹些遠程通訊的交換系統。
Fast-Page Mode－快速翻頁模式
壹種比較老的DRAM。與比它還早的頁面模式內存技術相比，它的優勢是在訪問同壹行的數據時速度比較快。
Firmware－固件，韌件
簡單地說，就是含有程序的存儲器，負責管理所附裝置的底層數據和資源。
Flash Memory－閃爍存儲器，閃存
閃爍存儲器在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息，但是數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位。區塊大小壹般由256K到20MB。FLASH這個詞最初由東芝因為該芯片的瞬間清除能力而提出。源於EPROM，閃存芯片價格不高，存儲容量大。閃存正在成為EPROM的替代品，因為它們很容易被升級。閃存被用於PCMCIA卡，PCMCIA閃存盤，其它形式硬盤，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果閃存或其它相關的衍生技術能夠在壹定的時間內清除壹個字節，那將導致永久性的（不易失）RAM的到來。
Form Factor－形態特征
用來描述硬件的壹些技術規格，例如尺寸、配置等。比方說，內存的形態特征有：SIMM（單邊）, DIMM（雙邊）, RIMM（總線式）, 30線, 72線, and 168線。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻頁動態存儲器
壹種改良型的DRAM，壹般為30線或72線內存。
若CPU所需的地址在同壹行內，在送出行地址後，就可以連續送出列地址，而不必再輸出行地址。壹般來講，程序或數據在內存中排列的地址是連續的，那麽輸出行地址後連續輸出列地址，就可以得到所需數據。這和以前DRAM存取方式相比要先進壹些（必須送出行地址、列地址才可讀寫數據）。
FSB (Frontside Bus)-前端總線
在CPU和內存之間的數據通道。
Gigabyte /GB－吉(咖)字節
約為10億字節，準確的數值為1,0243 (1,073,741,824) 字節。
Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位
約為10億位，準確的數值為1,0243 (1,073,741,824) bit。
Heat Spreader－散熱片
覆蓋在電子設備上的用於散熱的外殼，多為鋁制品。
Heat Sink－散熱片
CPU上常用的散熱部件，壹般為鋅合金制造。
HY （Hyundai）－韓國現代電子公司
Hyper Page Mode DRAM
同EDO DRAM
IC (Integrated Circuit)－集成電路
半導體芯片上的電路（有時也被稱為芯片或微芯片）由成千上萬個微小電阻、電容、晶體管組成。半導體芯片通常封裝在塑料或者陶瓷的外殼中，導線引腳露在外面。
特殊的IC 根據其作用可以分為線性芯片和數字芯片。
主要的內存IC廠商代號：
代 號
廠商英文名
廠商中文名
代 號
廠商英文名
廠商中文名
KM
SamSung
三星
TC
Toshiba
東芝
LH
Sharp
夏普
MN
Panasonic
松下
HM
Hitachi
日立
HY
Hyundai
現代
M5M
Mitsubishi
三菱
GM
LG_Semicon
金星
MCM
Motorola
摩托羅拉
MSM
OKI
沖電子
MT
Micron
邁克龍
MB
Fujitsu
富士通
TMS
TI
德州儀器
AAA
NMB
1
uPD
NEC
日電
2
3
4
Interleaving －交叉存取技術
加快內存速度的壹種技術。舉例來說，將存儲體的奇數地址和偶數地址部分分開，這樣當前字節被刷新時，可以不影響下壹個字節的訪問。
IT (Information Technology)－信息技術
IT行業，指與計算機、網絡和通信相關的技術。
JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council）
電子元件工業聯合會。JEDEC是由生產廠商們制定的國際性協議，主要為計算機內存制定。工業標準的內存通常指的是符合JEDEC標準的壹組內存。
Kilobit －千位
約為壹千位，準確數值是 210 (1,024) 位。
Kilobyte－千字節
約為壹千字節，準確數值是 210 (1,024) 字節。
KingHorse－香港駿壹電子公司
香港駿壹電子集團有限公司始創於壹九九四年壹月，公司草創初期主要從事電腦機箱、電源、顯示器、鍵盤、主機板等電腦配件在大陸的銷售業務。經過幾年的整合，香港駿壹以Kinghorse為品牌，專業從事臺式計算機、筆記本、服務器、工作站以及計算機外圍設備特種內存產品的研發、生產、銷售，在香港及大陸均設有OEM廠家，並致力於中國信息產業的發展而努力。
Kingmax－勝創公司
成立於1989年的勝創科技有限公司是壹家名列中國臺灣省前200強的生產企業（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內存模組的引領生產廠商。除臺灣省內的機構之外，勝創科技在全球四大洲擁有9個辦事處，公司在美國、中國、澳大利亞和荷蘭擁有超過390名員工。
Kingston－金仕頓科技公司
金仕頓科技公司是壹家設計和生產用於PC機、服務器、工作站、筆記本、路由器、打印機、和其他壹些電子設備內存、處理器的公司。該公司於1987年由杜紀川和孫大衛先生創立，現在已經發展成產品超過2000種、年銷售額超過16億美圓的公司。
Latch－鎖存（數據）
鎖存器：電子學中的壹種電路,可維持所承擔的位置或狀態,直到由外部手段將其復位到它前壹種狀態。SRAM就是用鎖存器制作的。
L1 (Level 1 Cache) －壹級高速緩存
也叫 primary cache，L1 Cache是在處理器上或離處理器最近的壹小塊高速存儲器。 L1 Cache 為處理器提供最常用的數據和指令。
L2(Level 2 Cache)－二級高速緩存
也叫 secondary cache，L2 Cache 是離處理器較近（通常在主板上）的壹小塊高速存儲器。L2 Cache為處理器提供最常用的數據和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升級。
LGS （Goldstar）－金星
主要內存生產廠家
Logic Board－主板
同 Motherboard。
Mask ROM
生產固件時，先制造壹顆含有原始數據的ROM作為模板，然後大批生產內容完全相同的ROM。這種方法大批量生產的ROM就叫做Mask ROM
MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK動態內存
MDRAM是MoSys公司開發的壹種VRAM（視頻內存），它把內存劃分為32KB的壹個個BANK（存儲庫），這些BANK可以單獨訪問，每個儲存庫之間以高於外部的數據速度相互連接。其最大特色是具有"高性能、低價位"特性，最大傳輸率高達666MB/S，壹般用於高速顯卡。
Megabit －兆位
約為壹百萬位，準確數值是1,0242 (1,048,576)位。
Megabyte－兆字節
約為壹百萬字節，準確數值是1,0242 (1,048,576)字節。
Memory －存儲器，記憶體，內存
壹般指電腦的RAM（random access memory）隨機存儲器，其主要用途是讀取程序和臨時保存數據；最為常見的內存芯片是DRAM。這壹術語有時也用來指所有的用來存儲數據的電子設備。
Memory Bank－存儲體，〔記憶庫〕
由壹些地址相鄰的存儲單元組成的壹種存儲塊，其大小由所在的計算機決定。比方說，32位的CPU必須使用壹次能提供32位信息的memory bank。壹個bank可能由壹個或多個內存模組構成。
Memory Bus－內存總線
從CPU到內存擴展槽的數據總線。
Memory Controller Hub (MCH)－內存控制中心
Intel 8xx（例如820或840）芯片組中用於控制AGP、CPU、內存（RDRAM）等組件工作的芯片。
Memory Translator Hub (MTH)－內存轉譯中心
壹種內存接口，通過它可以使Intel 820芯片組的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM內存。
Micro BGA (μBGA)－縮微型球狀引腳柵格陣列封裝
Tessera, Inc. 公司開發的的壹種BGA 芯片封裝技術，主要用於高頻工作的RDRAM。這種技術能把芯片尺寸做得更小，提高了散熱性，使內存條的數據密度增大了。
MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司
Motherboard－主板
也叫logic board、main board或 computer board，是計算機系統的主體部分。電腦的CPU、內存、輸入輸出接口和擴展槽等大部分硬件都安裝在主板上面。
Ms (millisecond) －毫秒
千分之壹秒。
Multi-Way Interleaved
多重交錯式內存存取結構，巫毒卡2代所采取的壹種技術。
Nanosecond (ns)－納秒,〔末秒,毫微秒〕
十億分之壹（10-9）秒。 內存的數據存取時間以納秒為單位。
Nibble －半字節, 四位字節
Non-Composite
蘋果電腦的內存術語，表示壹種采用了新技術的內存條。該內存條上的芯片顆粒很少，但數據密度卻非常高。Non-composite 內存條比 composite 內存條工作更可靠，但價格也相對很高。
Odd Parity－奇校驗
校核數據完整性的壹種方法，壹個字節的8個數據位與校驗位（parity bit ）加起來之和有奇數個1。校驗線路在收到數後，通過發生器在校驗位填上0或1，以保證和是奇數個1。因此，校驗位是0時，數據位中應該有奇數個1；而校驗位是1時，數據位應該有偶數個1。如果讀取數據時發現與此規則不符，CPU會下令重新傳輸數據。
Page mode－頁面模式
現在該技術已經被淘汰。在頁面模式下，每次訪問DRAM的同壹行的每壹列時，都會十分迅速。（參考FPM）
Parity：（Even / Odd）－奇偶校驗
也叫Parity Check，在每個字節（Byte）上加壹個數據位（Data Bit）對數據進行檢查的壹種冗余校驗法。它是根據二進制字節中的"0"或"1"的數目是奇數還是偶數來進行校驗的。在二進制字節中增加了壹個附加位，用來表示該字節中的"0"或"1"的數目是奇數還是偶數。經過傳輸或存儲後，再計算壹次校驗和（Checksum），如果與附加位壹致，證明傳輸或存儲中沒有錯誤。
奇偶校驗位主要用來檢查其它8位（1 Byte）上的錯誤，但是它不象ECC（Error Correcting Code錯誤更正碼），parity只能檢查出錯誤而不能更正錯誤。奇偶校驗的致命弱點是檢查出錯誤後無法斷定錯在哪壹位，容易死機，所以現在很少用了。取而代之的是ECC。
PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突發式靜態內存
屬於Level 2 Cache，多用於486後期及Pentium以上的主板。
PC100
JEDEC 和Intel制定的壹種SDRA