半導體元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、變壓器、芯片組件和網絡元件等的阻抗參數測量。
其它元件：印制電路板、繼電器、開關、電纜、電池等的阻抗評估。
介質材料：塑料、陶瓷和其它材料的介電常數的損耗角評估。
磁性材料：鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導磁率和損耗角評估。
半導體材料：半導體材料的介電常數,導電率和C-V特性。
液晶材料：液晶單元的介電子常數、彈性常數等C-V特性。 多參數混合顯示功能
多參數同時顯示可滿足復雜元件各種分布參數的全面觀察與評估要求，而不必反復切換測量參數。
電感L和其直流電阻DCR可以同時測量顯示，顯著提高電感測量效率。
揭示電感器件的多種特性
使用內部/外部直流偏置，結合各種掃描測試功能，可以精確地分析磁性材料、電感器件的性能。
通過偏置電流疊加測試功能，可以精確測量高頻電感器件、通訊變壓器，濾波器的小電流疊加性能。使用外部電流疊加裝置，可使偏置電流達40A以精確分析高功率、大電流電感器件。
精確的陶瓷電容測量
1kHz和1MHz是陶瓷材料和電容器的主要測試頻率。陶瓷電容器具有低損耗值的特征，同時其容量、損耗施加之交流信號會產生明顯的變化。
儀器具有寬頻測試能力並可提供良好的準確度，六位分辨率和自動電平控制（ALC）功能等，中以滿足陶瓷材料和電容器可靠、準確的測試需要。
液晶單元的電容特性測量
電容－電壓（C－Vac)特性是評價液晶材料性能的主要方法，常規儀器測量液晶單元的C－Vac特性遇到壹個問題是最大測試電壓不夠。
使用擴展測量選件可提供分辨率為1%及最高達20Vms的可編程測試信號電平，使它能在最佳條件下進行液晶材料的電容特性測量。
半導體材料和元件的測量
進行MOS型半導體制造工藝評價時，需要氧化層電容和襯底雜質密度這些參數，這些可從C－Vdc特性的測量結果推導出來。
通過提供的直流源，結合各種掃描功能，可以方便地完成C-VDC特性的測量。
為了測試晶圓上的半導體器件，需要延伸電纜和探頭，儀器的1m/2m/4m延伸電纜選件可將電纜延伸的誤差降至最小。
各種二極管、三極管、MOS管的分布電容也是本儀器的測試內容。