霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化，磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低，霍爾電壓值很小，通常只有幾個毫伏，但經集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來改變磁感應強度。
用壹個轉動的葉輪作為控制磁通量的開關，當葉輪葉片處於磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時，磁場偏離集成片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅動軸的某壹位置，利用這壹工作原理，可將霍爾集成電路片用作用點火正時傳感器。
霍爾效應傳感器屬於被動型傳感器，它要有外加電源才能工作，這壹特點使它能檢測轉速低的運轉情況。
擴展資料
霍爾元件可用多種半導體材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導體異質結構量子阱材料等等。半導體中電子遷移率（電子定向運動的平均速度）比空穴遷移率高，因此N型半導體較適合於制造靈敏度高的霍爾元件霍爾元件。
常用的半導體材料N型矽、N型鍺、銻化銦、砷化銦和不同比例亞砷酸銦和磷酸銦組成的In型固溶體等。其中N型鍺容易加工，其霍爾常數、溫度性能、輸出線性都較好，應用非常普遍銻化銦元件由於在高溫時霍爾常數大，所以輸出較大，但對溫度最敏感，尤其在低溫範圍內溫度系數大；
砷化銦的霍爾常數較小，溫度系數也較小，輸出線性好；砷化鎵的溫度特性和輸出線性好，是較理想的材料，但價格較貴。不同材料適用於不同場合，銻化銦適用於作為敏感元件，鍺和砷化銦霍爾元件適用於測量指示儀表。
百度百科-霍爾元件
百度百科-霍爾傳感器