DDR：
DDR采用壹個周期來回傳遞壹次數據，因此傳輸在同時間加倍，因此就像工作在兩倍的工作頻率壹樣。為了直觀，以等效的方式命名，因此命名為DDR 200 266 333 400。
DDR2：
DDR2盡管工作頻率沒有變化，數據傳輸位寬由DDR的2bit變為4bit，那麽同時間傳遞數據是DDR的兩倍，因此也用等效頻率命名，分別為DDR2 400 533 667 800。
DDR3：
DDR3內存也沒有增加工作頻率，繼續提升數據傳輸位寬變為8bit，為DDR2兩倍，因此也在同樣工作頻率下達到更高帶寬，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600內存工作頻率沒有區別，只是由於傳輸數據位寬倍增，導致帶寬的增加。
而內存的真正工作頻率決定於延遲，DDR400與DDR2 800真實工作頻率相同，後者帶寬是前者壹倍，延遲上壹樣。如果是DDR400與DDR2 667，那後者雖然帶寬更大，不過其真實頻率反而低壹些，延遲上略大。
DDR2與DDR的區別：?
1、速率與預取量?
DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍，DDR2內存擁有兩倍於標準DDR內存的4bit預期能力。?
2、封裝與電壓?
DDR封裝為TSOPII，DDR2封裝為FBGA；
DDR的標準電壓為2.5V，DDR2的標準電壓為1.8V。
3、bit pre-fetch?
DDR為2bit pre-fetch，DDR2為4bit pre-fetch。
4、新技術的引進?
DDR2引入了OCD、ODT和POST
（1）ODT：ODT是內建核心的終結電阻，它的功能是讓DQS、RDQS、DQ和DM信號在終結電阻處消耗完，防止這些信號在電路上形成反射；
（2）Post CAS：它是為了提高DDR2內存的利用效率而設定的；
在沒有前置CAS功能時，對其他L-Bank的尋址操作可能會因當前行的CAS命令占用地址線而延後，並使數據I/O總線出現空閑，當使用前置CAS後，消除了命令沖突並使數據I/O總線的利率提高。
（3）OCD（Off-Chip Driver）：離線驅動調整，DDR2通過OCD可以提高信號的完整性 OCD的作用在於調整DQS與DQ之間的同步，以確保信號的完整與可靠性，OCD的主要用意在於調整I/O接口端的電壓，來補償上拉與下拉電阻值，目的是讓DQS與DQ數據信號間的偏差降低到最小。
調校期間，分別測試DQS高電平和DQ高電平，與DQS低電平和DQ高電平時的同步情況，如果不滿足要求，則通過設定突發長度的地址線來傳送上拉/下拉電阻等級，直到測試合格才退出OCD操作。
DDR3與DDR2的區別：
1、DDR2為1.8V，DDR3為1.5V；?
2、DDR3采用CSP和FBGA封裝，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格；?
3、邏輯Bank數量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8個；?
4、突發長度，由於DDR3的預期為8bit,所以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的；
DDR3為此增加了壹個4-bitBurst Chop（突發突變）模式，即由壹個BL=4的讀取操作加上壹個BL=4的寫入操作來合成壹個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A112位地址線來控制這壹突發模式；?
5、尋址時序（Timing），DDR2的AL為0~4，DDR3為0、CL-1和CL-2，另外DDR3還增加了壹個時序參數——寫入延遲（CWD）；?
6、bit pre-fetch：DDR2為4bit pre-fetch,DDR3為8bit pre-fetch；
7、新增功能，ZQ是壹個新增的引腳，在這個引腳上接有240歐姆的低公差參考電阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可編程化溫度控制存儲器時鐘頻率功能。
新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以說針對整個存儲器Bank做更有效的數據讀寫以達到省電功效；
8、DDR3的參考電壓分成兩個，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據總線服務的VREFDQ，這將有效低提高系統數據總線的信噪等級；?
9、點對點連接（point-to-point,p2p），這是為了提高系統性能而進行的重要改動。