這個技術各家半導體廠都有研究，包括英特爾、IBM、臺積電、三星等，並不是哪家獨有的技術。
閘極全環晶體管（Gate-all-around，GAAFET）或稱為“環繞式結構FET”，和FinFET有相同的概念，不同之處在於此元件閘極圍繞了整個載子通道。依設計的不同，GAAFET可以以2個或4個等效閘極。此元件已經借著利用矽奈米線和蝕刻砷化鎵銦（InGaAs）納米線被建造成功。