(1)場效應管利用多子導電，稱為單極型晶體管，溫度性能較好，並具有零溫度系數工作點。而晶體三極管是空穴和自由電子都參與導電的器件，稱為雙極型晶體管(BJT)，溫度特性較差。
(2)場效應管是電壓控制器件，輸入電阻很大；而雙極型晶體管由於存在輸入電流，故輸入電阻較小。通常把雙極型晶體管視為電流控制器件。
(3)正常工作時，耗盡型MOSFET的柵壓可正可負，靈活性較大。而增強型MOSFET、JFET的柵極電壓和BJT的基極偏壓只能是壹種極性。
(4)JFET的噪聲比MOSFET的噪聲低，MOSFET的噪聲比BJT低。
(5)MOSFET工藝最簡單，適於制造大規模、超大規模集成電路。