TFT LCD技術是微電子技術和LCD技術巧妙結合的高新技術。利用微電子精細加工技術和Si材料處理技術，開發大面積玻璃基板上生長Si材料和TFT平面陣列的工藝技術，與日益成熟的LCD制作技術相結合，不斷提高產品的顯示品質，增強自動化大規模生產能力，大幅度地提高產量，提高合格率，降低成本，性能/價格比向CRT接近。
---- 在顯示品質方面，以分辨率為例，由CGA（320×200）、VGA（640×480）、SVGA（800×600）、XGA（1024×768）、SXGA（1280×1024）到UXGA（1600×1200），大約7年時間。圖1表示TFT LCD分辨率發展速度，基本符合摩爾定律。說明TFT LCD發展速度和計算機芯片發展速度壹致，這正是TFT LCD與計算機適配性和發展速度的同步性。
---- 表1 各種引線技術
最小間隙（μm） 分辨率（線/英寸） 成本（美元/塊）
COB 280 100 380
TAB 170 150 190
COG 60 400 110
集成技術 25 1000 30
---- 為進壹步提高TFT LCD分辨率，要減小TFT尺寸，並保證開口率，同時涉及到引線技術的有限性。表1列出當前采用各種引線技術的引線密度。為了解決高分辨率顯示，只好采用p-Si材料，把周邊驅動的電路集成到屏上。高溫多晶矽技術已實現周邊驅動電路集成到LCD屏上，應用於投影顯示。但多晶矽生產溫度高於1000℃，襯底用石英基板，石英板成本高。因此，人們研究開發在玻璃襯底上生長低溫p-Si技術，有低壓PECVD技術可在玻璃襯底上生長p-Si，還有把a-Si材料重結晶成p-Si，如有金屬誘導生長法和激光退火法。當前，低溫p-Si TFT LCD的大規模生產，主要采用XeCl準分子激光退火（ELA）技術。用PECVD法在400×500mm2玻璃基板上生長50nm厚度a-Si薄膜，用激光退火重結晶得到如圖2所示的p-Si晶粒[1]，圖中照片表示不同晶粒大小的掃描電鏡形貌。晶粒小於0.3μm時，遷移率與晶粒大小很密切，大於0.3μm開始，空穴遷移率幾乎不變，這表明在ELA過程中形成的淺能級陷阱束縛空穴。電子遷移率晶粒尺寸變大，緩慢增加，遷移率為100～200cm2/vs。為了得到均勻的TFT開關特性，p-Si晶粒尺寸控制在1μm左右。
---- 圖3表示C-MOS結構周邊驅動集成電路的n溝道和p溝道p-Si TFT斷面圖。在玻璃襯底上塗SiN/SiO2層，防止玻璃中堿金屬浸入到Si有源層，低電阻合金作為柵極和柵線。防止ELA過程中融蝕a-Si層，在a-Si中H濃度控制在1原子%左右。在n溝道TFT中采用輕摻雜漏極（LDD）結構改善了可靠性和降低暗電流。圖4給出n溝道和p溝道TFT I-V特性。溝道寬度（W）和長度（L）分別為9μm和4.5μm，電子和空穴遷移率分別為μn=236cm2/vs和μp=120cm2/vs,閾