qvd

1.根據電阻率查表得到摻雜濃度NA=2X10^16 CM^(-3)

2.根據摻雜濃度查表得到半導體的功函數Ws=5.00eV

3.為了得到肖特基結，要求P型半導體滿足Wm<Ws,所以應選擇Al，作為金屬構成肖特基結。

4.金屬壹側的勢壘高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV

5.半導體壹側的勢壘高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV

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