三極管的文字符號國外壹般用宇母QR或Q表示，在國內壹般用VT或V表示。
三極管參數中文字符號英文對照
Pcm 集電極最大耗散功率
Icm 集電極最大允許電流
V(br)cbo 發射極開路時，集電極與基極間反向擊穿電壓
V(br)ceo 基極開路時，集電極與發射極間反向擊穿電壓
V(br)ebo 集電極開路時，發射極與基極間反向擊穿電壓
Icbo 發射極開路時，集電極與基極間反向漏電流
擴展資料：
工作原理
理論原理
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每壹種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度矽中加入磷取代壹些矽原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。
對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著壹塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，壹旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流子。
三極管是壹種電流放大器件，但在實際使用中常常通過電阻將三極管的電流放大作用轉變為電壓放大作用。
百度百科-三極管