3DNAND是壹種新型的閃存技術，相比傳統的TLC閃存具有更高的存儲密度和更長的使用壽命。3DNAND閃存采用垂直堆疊的方式，可以在同樣的芯片面積內存儲更多的數據，同時也能夠減少電路的復雜度和功耗。此外，3DNAND閃存的壽命也比TLC閃存更長，因為它采用了更加耐用的材料和結構。相比之下，TLC閃存的存儲密度和壽命都相對較低。因此，綜合考慮，3DNAND閃存更好。