公式推導:
1. 對於壹個MOSFET發射極的電勢，根據Poisson方程可以得出如下表達式：
Vg-Vt=sqrt(2*q*ni*(phi_f+phi_s))
其中，Vg為gate電壓，Vt為threshold voltage，q為電荷量子，ni為intrinsic carrier concentration，φf和φs分別為固定電勢和隨時間變化的電勢。
2. 由於場效應管通常有多個發射極，根據物理原理可以得出總電勢等於所有發射極電勢之和：Vg-Vt=sqrt(2*q*ni)*[sqrt(phi_f+phi_s)+ sqrt(phi_f+phi_s) + ...]
3. 根據上式，我們可以得出場效應管gm公式：
gm=dI/dVg = sqrt(2*q*ni)/(Vg-Vt) * [sqrt(phi_f+phi_s) + sqrt(phi_f+phi_s) + …]