IPW60R017C7英飛淩MOS晶體管參數:
型號:IPW60R017C7
連續漏極電流(ID): 109a
功耗(ptot): 446瓦
儲存溫度和工作結溫(Tstg，TJ):-55 ~ 150℃
漏源擊穿電壓v (br) DSS: 600 v。
柵極閾值電壓v (GS) th: 4v。
零柵極電壓漏極電流(IDSS): 2UA
柵源漏電流(IGSS): 100納
漏源導通電阻rds(on):0.017ω
輸入電容(CISS): 9890 pf
輸出電容(COSS): 200 pf
二極管直流電壓(VSD): 0.9V
反向恢復時間(TRR): 630納秒
IPW60R017C7特性:
適合硬開關和軟開關(PFC和高性能LLC)
MOSFETdv/dt的耐久性提高到120V/ns。
因為有最好的FOMRDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg，所以提高了效率。
滿足JEDEC(J-STD20)和JESD22的工業應用要求。
IPW60R017C7用於高功率/性能PFC和PWM SMPS，如計算、服務器、電信、UPS和太陽能。