哎~~比如三氫化砷，三氫化磷，三氟化硼等等。。。都是氣態但是還有固態Sb用來做N型攙雜，AS和紅磷都是固態源但是這些固態的離子源都是要變成蒸氣才進行植入的。關於使用方面，大概是這樣的：1：P 擴散，離子植入，磊晶成長和多晶矽沈積時的N型攙雜物，CVD矽玻璃（PSG和BPSG）的攙雜物。2：AS擴散，離子植入，磊晶成長和多晶矽沈積時的N型攙雜源。3：SB離子植入N型攙雜源4：B 擴散，離子植入，磊晶成長和多晶矽沈積時的P型攙雜物，CVD矽玻璃（PSG和BPSG）的攙雜物。5：GE和GESI以及半導體基片非晶化植入用的GE離子源。至於使用什麽元素做植入，主要看妳的工藝來決定，P和AS原子量不壹樣，所以植入的深度和應用也不壹樣，而且妳還要考慮這兩種原子的阻滯機制，通道效應等等。[ Last edited by HERMAN on 2005-11-6 at 12:43 ]
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