妳說的那種方式風險很大。本來IAP就是壹個高風險的過程。從SRAM刷代碼到Flash的過程中，要謹防斷電，動作越早完成越好。妳可以壹邊低速接收，壹邊慢慢重寫Flash的內容，人為的把高危刷機時間延長了n倍。
更可怕的是妳對Flash壹點知識都沒有，還想不緩沖直接寫Flash？連扇區緩沖都不用？妳不是不分青紅皂白的要求先把整個扇區擦除，然後慢慢的壹個字節壹個字節的接收寫入嗎？
這個想法做論文做研究還行，但是真的用在產品上就要把壹個工廠搞死了。
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