壹、存儲技術不同
1、SLC：單層單元存儲技術。
2、MLC：多層單元存儲技術。
3、TLC：三層單元存儲技術。
二、特點不同
1、SLC：在每個單元中存儲壹個Bit，這種設計提高了耐久性、準確性和性能。
2、MLC：架構可以為每個單元存儲2個Bit。
3、TLC：用於性能和耐久性要求相對較低的消費級電子產品。
三、用處不同
1、SLC：對於企業的關鍵應用程序和存儲服務，SLC是首選的閃存技術。它的價格最高。
2、MLC：存儲多個Bit似乎能夠很好地利用空間，在相同空間內獲得更大容量，但它的代價是使用壽命降低，可靠性降低。
3、TLC：適合於包含大量讀取操作的應用程序，基於TLC的存儲組件很少在業務環境中使用。
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