mos管工作原理是N型矽襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。
以N型MOS管四端器件為例：NMOS管四端分別是D、G、S、B，即漏(Drain)、柵(Gate)、源(Source)以及體(Body)端。MOS管是電壓控制電流器件（區別於Bipolar的電流控制電流器件特性）。當柵源電壓差為0時，漏源之間不會形成電流前段（工作在截止區）。
結構特點：
MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有壹種極性的載流子(多子)參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。