例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。 第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進壹步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。
這是壹條三星DDR內存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存 條的容量是128Mbits（兆數位）×16片/8bits=256MB（兆字節）。
Kingmax 內存都是采用TinyBGA封裝（Tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內存條全 是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間×4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間×8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間×4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間×8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空間×16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3。
例如壹條Kingmax內存條，采用16片KSV884T4A0A-7A的內存顆粒制造，其容量計算為：64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆字節）。
Hynix(Hyundai)現代
·“8”是內存條芯片結構，代表改內存由8顆芯片構成。(4=4顆芯片；8=8顆芯片；16=16顆芯片；32=32顆芯片)
·“2”指內存的bank(儲蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口類型為SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是內核代號為第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。
封裝類型用“T”表示，即TSOP封裝。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述內存為空白，代表是普通封裝堆棧。
·封裝原料，空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素。該內存為普通封裝材料。
·“D43”表示內存的速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
工作溫度，壹般被省略。I=工業常溫(-40～85度)；E=擴展溫度(-25～85度)
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1、HY代表是現代的產品
2、內存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；
3、處理工藝及工作電壓：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
5、代表芯片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、芯片內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、內存芯片封裝形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
這些都是我上學時候收集的，時間久了點 但是規律是不變的，我這裏的只是性能數據低了點