只讀存儲器(ROM)是壹種在正常運行時存儲在其中的固定數據，其中的數據只能讀出，不能寫入，即使斷電也能保留數據。要在ROM中存儲或更改數據，必須滿足特定的條件。
根據存取信息的方式不同，存儲器可以分為隨機存取存儲器(RAM)和非隨機存取存儲器。只讀存儲器屬於非隨機存取存儲器。主要分為mask ROM、PROM、EPROM、EEROM、flash ROM等。
擴展數據:
根據編程方法的不同，只讀存儲器* * *分為以下五種類型:
1，屏蔽過程ROM
這種ROM是由工藝制造商根據客戶要存儲的信息設計壹種特殊的掩模生產的。成品壹旦生產出來，ROM中的信息可以讀取和使用，但不能更改。這種ROM壹般用於量產，成本比較低。
2.壹次性可編程只讀存儲器(PROM)
PROM由熔絲制成(通常由鎳鉻合金、多晶矽或鈦鎢合金制成)。用戶可以熔斷這些熔絲來實現存儲元件之間的互連，從而寫入信息。壹旦寫入，信息將永久固定，只能讀出，其內容不可更改。
3.紫外線擦除可重寫只讀存儲器(EPROM)
EPROM中的內容可以由用戶寫入，用戶也可以反復擦除和重寫。EPROM用電信號編程，用紫外線擦除。芯片外殼上方有壹個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線可以擦除原始信息。因為太陽光中含有紫外線，所以在編寫程序時，需要使用帶有應時窗的昂貴陶瓷封裝，以避免太陽光對程序的損害。此外，在擦除過程中不能選擇性地擦除存儲單元，如果用戶需要改變程序，則必須擦除整個存儲器陣列。
4.電可擦除可重寫只讀存儲器
EEROM是ROM發展的壹大進步。其寫入操作采用熱載流子隧穿，擦除操作采用熱電子的量子力學隧穿效應。EEPROM具有許多優點，如單5V編程能力，編程前無需擦除操作，字節模式和頁面模式下的寫操作，適中的訪問時間，低功耗，軍用工作溫度範圍，以及在惡劣環境條件下的非易失性。
5.快閃只讀存儲器(快閃只讀存儲器)
在80年代中期，發現熱載流子編程和隧穿擦除的結合是實現單管EPROM單元的方法。這項新技術被稱為閃存。這種技術結合了EPROM的編程能力和EEPROM的擦除能力，讀寫速度非常快。這個芯片最多可以重寫654.38+0萬次。
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