如何設立壹個合理的晶體生長環境

老了自費出本書就叫《小盜晶經》；這些記錄的點點滴滴就是素材。工作比較忙，博客的更新速率保持每年不少於20篇，且每月至少壹篇。不在乎寫的好壞，壹定要有自己的理解！不過我的理解未必壹定是對的。合理的晶體生長環境晶體生長的環境問題可以分為微觀環境和宏觀環境。宏觀環境指的是冷卻水溫、冷卻水流量、環境問題、電壓的穩定性................等等問題。微觀環境其實比較難定義，本文指的是爐膛以內的環境；包括坩堝以內部固、液兩相內部的環境；也包括以原子、離子或分子角度去分析的微觀問題。但本文討論的不包括以原子、離子或分子角度去分析的微觀問題。晶體生長環境對晶體生長的影響最終是反應在晶體生長固液界面的宏觀形狀上；或者說固液界面的宏觀形狀直接影響到晶體的質量。例如改變固液界面的形狀可以避免小面生長和內核，可以控制與固液界面相交的位錯的走向。固液界面的形狀也和晶體中溶質偏聚、氣泡的形成、熱應力的分布密切相關。因而控制固液界面形狀就成為控制晶體質量的主要關鍵之壹。關於如何建立壹個合理的晶體生長環境其實要談的問題很多；談談為何要用“合理”而不是“合適”？ “合適”的環境肯定是能用於晶體生長，但不壹定“合理”，也許是“大炮打蚊子”；但“合理”的壹定是“合適”的，是在夠用的前提下保證壹定的經濟性。以老美的三大神爐公司的設備為例；其要求堪稱苛刻！可是真的需要這麽高的要求？三大神爐的配套水電氣設備的要求在我看來是可笑的；幾乎就是生搬硬套半導體設備廠商的要求。如果真是要求這麽高的話，只能說是設備的溫控設計或是溫場、甚至是生長原理設計有問題。微觀環境和宏觀環境是如何影響晶體質量的？如何設立壹個合適晶體生長環境我不想長篇大論；列出壹個本人很多年前看書所記下的兩張關系表；表上的術語請自己看書搞明白；再弄清楚相互的影響關系，妳就不僅僅弄清楚如何長出好晶體也能弄清楚如何設立長晶工廠的水電和廠務。