集成電路工藝

集成電路工藝主要分為半導體集成電路、膜集成電路和混合集成電路3類。

半導體集成電路是采用半導體工藝技術，在矽基片上制作包括電阻、電容、三極管、二極管等元器件的集成電路；膜集成電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上，以“膜”的形式制作電阻、電容等無源元件的集成電路。

無源元件的數值範圍可以做得很寬，精度可以做得很高。技術水平尚無法用“膜”的形式制作晶體二極管、三極管等有源器件，因而膜集成電路的應用範圍受到很大的限制。在實際應用中，多半是在無源膜電路上外加半導體集成電路或分立元件的二極管、三極管等有源器件，使之構成壹個整體，這就是混合集成電路。

根據膜的厚薄不同，膜集成電路又分為厚膜集成電路和薄膜集成電路兩種。在家電維修和壹般性電子制作過程中遇到的主要是半導體集成電路、厚膜電路及少量的混合集成電路。

擴展資料：

1、按用途分類

集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。

2、按應用領域分類

集成電路按應用領域可分為標準通用集成電路和專用集成電路。

3、按外形分類

集成電路按外形可分為圓形、扁平型和雙列直插型。

什麽是28nm集成電路工藝

28nm集成電路工藝：它指的是晶體管門電路的尺寸，現階段主要以納米為單位，制造工藝的提高，意味著顯示芯片的體積將更小、集成度更高，可以容納更多的晶體管和中央處理器壹樣，顯示卡的核心芯片，也是在矽晶片上制成的。

CPU制作工藝指的是在生產CPU過程中，現在其生產的精度以納米來表示，精度越高，生產工藝越先進。在同樣的材料中可以容納更多的電子元件，連接線也越細，有利於提高CPU的集成度。

擴展資料：

制造工藝詳解：

1、矽提純

生產CPU與GPU等芯片的材料是半導體，現階段主要的材料是矽Si，這是壹種非金屬元素，從化學的角度來看，由於它處於元素周期表中金屬元素區與非金屬元素區的交界處，所以具有半導體的性質，適合於制造各種微小的晶體管，是目前最適宜於制造現代大規模集成電路的材料之壹。

在矽提純的過程中，原材料矽將被熔化，並放進壹個巨大的石英熔爐。這時向熔爐裏放入壹顆晶種，以便矽晶體圍著這顆晶種生長，直到形成壹個幾近完美的單晶矽。以往的矽錠的直徑大都是200毫米，而CPU或GPU廠商正在增加300毫米晶圓的生產。

2、切割晶圓

矽錠造出來了，並被整型成壹個完美的圓柱體，接下來將被切割成片狀，稱為晶圓。晶圓才被真正用於CPU與GPU的制造。所謂的“切割晶圓”也就是用機器從單晶矽棒上切割下壹片事先確定規格的矽晶片，並將其劃分成多個細小的區域，每個區域都將成為壹個處理器的內核。

3、影印

在經過熱處理得到的矽氧化物層上面塗敷壹種光阻物質，紫外線通過印制著處理器復雜電路結構圖樣的模板照射矽基片，被紫外線照射的地方光阻物質溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區域不受到光的幹擾，必須制作遮罩來遮蔽這些區域。

4、蝕刻

這是CPU與GPU生產過程中重要操作，也是處理器工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光並配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。

然後，曝光的矽將被原子轟擊，使得暴露的矽基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以制造出N井或P井，結合上面制造的基片，處理器的門電路就完成了。

百度百科-制造工藝

集成電路制造五個步驟

半導體產業開始於上世紀。隨著1947年固體晶體管的發明，半導體行業已經獲得了長足發展，之後的發展方向是引入了集成電路和矽材料。集成電路將多個元件結合在了壹塊芯片上，提高了芯片性能、降低了成本。隨著矽材料的引入，芯片工藝逐步演化為器件在矽片上層以及電路層的襯底上澱積。

芯片制造主要有五大步驟：矽片制備、芯片制造、芯片測試與挑選、裝配與封裝、終測。

芯片制造主要有五大步驟_國內矽片制造商迎來春天

芯片制造的五大步驟

矽片制備。

首先是將矽從礦物中提純並純化，經過特殊工藝產生適當直徑的矽錠。然後將矽錠切割成用於制造芯片的薄矽片。最後按照不同的定位邊和沾汙水平等參數制成不同規格的矽片。本文討論的主要內容就是矽片制備環節。

芯片制造。

裸露的矽片到達矽片制廠，經過各種清洗、成膜、光刻、刻蝕和摻雜等步驟，矽片上就刻蝕了壹整套集成電路。芯片測試/揀選。芯片制造完後將被送到測試與揀選區，在那裏對單個芯片進行探測和電學測試，然後揀選出合格的產品，並對有缺陷的產品進行標記。

裝配與封裝。

矽片經過測試和揀選後就進入了裝配和封裝環節，目的是把單個的芯片包裝在壹個保護殼管內。矽片的背面需要進行研磨以減少襯底的厚度，然後把壹個後塑料膜貼附在矽片背面，再沿劃線片用帶金剛石尖的鋸刃將矽片上每個芯片分開，塑料膜能保持芯片不脫落。在裝配廠，好的芯片被壓焊或抽空形成裝配包，再將芯片密封在塑料或陶瓷殼內。

終測。

為確保芯片的功能，需要對每壹個被封裝的集成電路進行測試，以滿足制造商的電學和環節的特性參數要求。

矽片制作的工藝流程

矽片制備之前是制作高純度的半導體級矽，也被稱為電子級矽。制備過程大概分為三步，第壹步是通過加熱含碳的矽石來生成氣態的氧化矽SiO；第二步是用純度大概98%的氧化矽，通過壓碎和化學反應生產含矽的三氯矽烷氣體；第三步是用三氯矽烷經過再壹次的化學過程，用氫氣還原制備出純度為99.9999999%的半導體級矽。

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半導體矽的生產過程

對半導體級矽進壹步加工得到矽片的過程被稱為矽片制備環節。矽片制備包括晶體生長、整型、切片、拋光、清洗和檢測等步驟，通過單晶矽生長、機械加工、化學處理、表面拋光和質量檢測等環節最終生產出符合條件的高質量矽片。

集成電路工藝主要分哪幾類

分類方法很多

按功能分；線性電路、數字電路。

按電路組成分；TTL電路、CMOS電路。

按集成度分；小規模、大規模。

還有按運行速度分、按功耗分、按管腳分等等。

集成電路制造包括哪些工藝？

IC制造技術有兩種，壹種是單片技術，另壹種是混合技術。在單片技術中，所有電子元件及其互連都壹起制造成單個矽芯片。該技術適用於大規模生產相同的IC。單片IC便宜但可靠。

在混合IC中，單獨的組件附著在陶瓷物質上，並通過導線或金屬化圖案相互連接。