存儲器的種類分別是非易失性存儲器ROM、易失性存儲器RAM、FLASH存儲器。
壹、非易失性存儲器ROM（Read One Momory）
ROM（Read Only Memory）只讀存儲器。用來存儲和保存數據。ROM數據不能隨意更新，但是在任何時候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數據。
ROM分為以下幾個種類：
1、MASKROM：
廠商制造過程中使用壹組特定的數據或指令進行編程，通過光刻工藝屏蔽存儲器陣列的某些區域，將數據硬連接到ROM，從而創建永久的、不可更改的“1”和“0”圖案。這意味著壹旦芯片生產出來，就無法修改、擦除或重寫數據。
2、PROM：
可編程只讀存儲器只允許寫入壹次，所以也被稱為“壹次可編程只讀存儲器”（One Time Progarmming ROM，OTP-ROM）。
PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0（部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1），以實現對其“編程”的目的。
PROM的典型產品是“雙極性熔絲結構”，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，並維持壹定的時間，原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某些位的效果。
另外壹類經典的PROM為使用“肖特基二極管”的PROM，出廠時，其中的二極管處於反向截止狀態，還是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極管”，造成其永久性擊穿即可。
3、EPROM：
EPROM是壹種斷電後仍能保留數據的計算機儲存芯片——即非易失性的（非揮發性）。它是壹組浮柵晶體管，被壹個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。
壹旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見矽片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對準陽光直射壹段時間就可以擦除。
4、EEPROM：
可電擦除、可編程的ROM，按字節進行刪除和重寫，寫入時間很長很慢，現在多用作非易失的數據存儲器。特點是可以隨機訪問與修改，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統的壹種EEPROM，掉電後數據不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。
具有較高的可靠性，但是電路復雜成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十KByte到幾百KByte的，很少有超過512KByte。
二、易失性存儲器RAM（Random Access Memory）
RAM（Random Access Memory），隨機存取存儲器。與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫內存。
它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介，當電源關閉時RAM不能保留數據。RAM可以進壹步分為靜態RAM（SRAM）和動態RAM（DRAM）兩大類。
1、靜態RAM（Static RAM/SRAM）：
SRAM速度非常快，不需要刷新電路即能保存數據，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是集成度較低，非常昂貴。
2、動態RAM（Dynamic RAM/DRAM）：
DRAM保留數據的時間很短（需要刷新電路，每隔壹段時間刷新壹次，否則數據會消失），速度要比SRAM慢，不過還是比ROM要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。
3、內存工作原理：
內存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的＂動態＂指的是當我們將數據寫入DRAM後，經過壹段時間，數據會丟失，因此需要壹個額外設電路進行內存刷新操作。
具體的工作過程是這樣的：壹個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。
但時間壹長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
三、FLASH存儲器
1、FLASH閃存：
FLASH閃存是非易失性（Non-Volatile）內存，結合了ROM和RAM的長處，可電擦除、可編程（EEPROM）、斷電不會丟失數據、同時可以快速讀取數據，U盤和MP3裏用的就是這種存儲器。
在過去的20年裏，嵌入式系統壹直使用ROM（EPROM）作為存儲設備，然而近年來FLASH全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲裝載程序以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。
FLASH屬於廣義上的ROM，和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，相對於EEPROM的改進就是擦除時不再以字節為單位，而是以塊為單位，簡化了電路，數據密度更高，降低了成本。目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。
NOR Flash：NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是壹樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH裏面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。
壹般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來存儲操作系統等重要信息。NOR FLASH數據線和地址線分開，可以實現RAM壹樣的隨機尋址功能，可以讀取任何壹個字節，但是擦除仍要按塊來擦。
NADN Flash：沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以壹次讀取壹塊的形式來進行的，通常是壹次讀取512Byte，采用這種技術的Flash比較廉價。
用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，NANDFlash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了壹塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。大容量的用NANDFLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統采用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的＂閃盤＂，可以在線擦除。
NAND FLASH同樣是按塊擦除，但是數據線和地址線復用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取。（NAND FLASH按塊來擦除，按頁來讀，NOR FLASH沒有頁）。
由於NAND FLASH引腳上復用，因此讀取速度比NORFLASH慢壹點，但是擦除和寫入速度比NOR FLASH快很多。NAND FLASH內部電路更簡單，因此數據密度大、體積小、成本也低。因此大容量的FLASH都是NAND FLASH。小容量的2～12M的FLASH多是NOR FLASH。
FLASH工作原理：Flash Memory屬於非易失性存儲設備（Non-volatile Memory Device），FLASH的內部存儲是MOSFET，裏面有個懸浮門（Floating Gate），是真正存儲數據的單元。數據在Flash內存單元中是以電荷（electrical charge）形式存儲的。
存儲電荷的多少取決於外部門（external gate）所被施加的電壓，控制了是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。數據的表示是以所存儲的電荷的電壓是否超過壹個特定的閾值Vth來表示。
對於數據的表示，單個存儲單元中內部所存儲電荷的電壓，和某個特定的閾值電壓Vth相比，如果大於此Vth值就是表示1，反之小於Vth就表示0。
對於NAND FLASH的數據的寫入1，就是控制External Gate去充電，使得存儲的電荷超過閾值Vth就表示1了。而對於寫入0，就是控制External Gate去放電，使得電荷減少到小於Vth就表示0了。
2、SSD與HDD：
HDD：硬盤驅動器（Hard Disk Drive），最基本的電腦存儲器，也就是機械硬盤，靠磁場存儲信息，故也稱為磁盤。在這裏不做過多介紹。
SSD：固態硬盤（Solid State Drives）。由控制單元和存儲單元（FLASH芯片、DRAM芯片）組成。固態硬盤的存儲介質分為兩種，壹種是采用閃存（FLASH芯片）作為存儲介質，另外壹種是采用DRAM作為存儲介質。
3、eMMC與USF2.0：
eMMC：eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，是由MMC協會所訂立的、主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。
eMMC的壹個明顯優勢是在封裝中集成了壹個控制器，它提供標準接口並管理閃存，eMMC利用的是它將主控制器、閃存顆粒整合到了壹個小的BGA封裝內。eMMC＝NAND Flash＋控制器＋標準封裝接口。
UFS2.0：UFS2.0的閃存規格則采用了新的標準，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的轉換。並且它支持全雙工運行，可同時讀寫操作，還支持指令隊列。
相比之下，eMMC是半雙工，讀寫必須分開執行，指令也是打包的，在速度上就已經是略遜壹籌了。而且UFS芯片不僅傳輸速度快，功耗也要比eMMC5.0低壹半，可以說是旗艦手機閃存的理想搭配。
總結：雖然eMMC在傳輸速度和性能方面不及現在最新的UFS2.0，但在日後相當長的壹段時間內，還是會繼續占領移動產品閃存芯片的主流。
因為eMMC有著更成熟的工藝，能夠大規模生產，成本更低更適合大眾化的移動產品閃存芯片需求；而UFS2.0雖然很好，但是生產成本較高，在現在剛開始投入市場的初期，只能夠被放在高端產品上使用。
但以現在的趨勢來看，UFS2.0將會逐漸成為移動產品市場的主流相信是不成問題，畢竟科技是需要進步的。