WREN 0000 X110 設置寫使能 WRDI 0000 X100 重新設置寫使能 RDSR 0000 X101 讀狀態寄存器 WRSR 0000 X001 寫狀態寄存器 READ 0000 X011 從存儲區讀數 PROGRAM 0000 X010 編程存儲區 SECTOR ERASE 0101 X010 擦除存儲區壹個塊 CHIP ERASE 0110 X010 擦除所有存儲區 RDID 0001 X101 讀生產商和產品ID號 寫使能 (WREN）：器件上電處於寫禁止狀態，所有的寫指令必須在寫使能之後進行。
寫禁止 (WRDI）：為了保護器件不被不當的寫操作破壞，WRDI禁止所有的寫操作，改指令與Wp無關。
讀狀態寄存器 (RDSR):RDSR提供與狀態寄存器的入口，設備讀/忙狀態和寫使能由RDSR決定。簡單的說：塊保護位決定了被保護的程度。這些位由WRDI指令決定。在內部寫周期，除WRDI外所有的命令都被忽略。
狀態寄存器格式： BIT7 BIT6 BIT5 BIT4 BIT3 BIT2 BIT1 BIT0 WPEN X X X BP1 BP2 WEN 讀狀態寄存器位定義： BIT0 為0時不是設備準備好了，為1時正在進行寫操作。 BIT1 WEN 為0時不是沒有寫使能，為1時寫使能。 BIT2 見表4 BIT3 見表4 BIY4--BIT6 在設備不處於寫周期是為0 BIT7 見表5 BIT0－－BIT7 在寫周期時全為1 讀產品ID（RDID）RDID使用戶能讀產品的生產商和產品ID，首先出來的是生產商ID（1FH=ATMEL），接著是產品碼。
寫狀態寄存器（(WRSR）寫狀態寄存器使用戶能選擇AT25F1024的保護級別。AT25F1024分為4個保護級別，最大部份（1/4）、最大1/2或者所有的存儲區都禁止寫。AT25F512分為2個部分，所有的存儲區都被保護。任何被保護的區域相應的只能讀。鎖定區域和對應的狀態寄存器見表4.
3個位：BP0, BP1, and WPEN是不可變區域，和普通存儲區有同樣的功能和特性。
表 4. 塊寫保護位 級別 狀態寄存器位 AT25F512 AT25F1024 BP1 BP0 陣列地址鎖定 鎖定扇區 陣列地址鎖定 鎖定扇區 0 0 0 無 無 無 無 1（1/4） 0 1 018000 - 01FFFF 扇區4 2(1/2) 1 0 010000 - 01FFFF 扇區3，4 3（全部） 1 1 000000 - 00FFFF 所有扇區(1 - 2) 000000 - 01FFFF 所有扇區1-4 WRSR同樣允許用戶通過WPEN使能或者禁止/W/P。/W/P為低電平，同時WPEN為1時硬件寫保護被使能；/W/P為高電平或者WPEN為0時禁止寫保護。當硬件處於寫保護時，寫狀態寄存器，包括快保護位和WPEN，存儲器的鎖定部分失效。只允許對未鎖定部分寫。WRSR是自計時的，以自動擦除或編程BP0、BP1和WPEN。為了寫狀態寄存器，就必須通過WRSR指令來使能寫。接下來是RDSR和這3個位的指令。在寫周期裏，除了RDSR外，所有的指令都被忽略。在寫周期結束後，AT25F512/1024自動返回到寫禁止狀態。
註意：當WPEN為寫保護時，只要WP為低電平，它就不能變回0.
表5：WPEN操作： WPEN WEN 保護塊 未保護塊 狀態寄存器 0 X 0 保護 保護 保護 0 X 1 保護 寫使能 寫使能 1 低 0 保護 保護 保護 1 低 1 保護 寫使能 保護 X 高 0 保護 保護 保護 X 高 1 保護 寫使能 寫使能 通過SO讀AT25F512/1024有壹下次序：/C/S被拉低後，芯片被選中，由SI發送讀地址（參見表6），壹結束，SI線上的任何數據都被忽略。該地址裏的數據移到SO。如果只有壹個字節，線在數據發送出去後要被拉高。讀指令會隨著字節地址增加而持續進行，數據連續地被送出。對於AT25F1024,到達最高地址時，地址計數器會返回最低地址，使壹個連續的讀指令有壹個完整的存儲區；對於AT25F512，讀指令必須在到達最高地址（00FFFF）前終止。
編程(PROGRAM)：對AT25F512/1024編程要操作兩個獨立的指令。首先：設備必須通過WREN寫使能，然後進行編程指令。同時，存儲區的地址必須被定位在塊寫保護區外。在寫周期裏，除了RDSR外，所有的指令都被忽略。編程指令需要壹下次序：首先/C/S被拉低通過SI發送編程指令，接著是被編程的地址和數據，編程指令在/C/S拉高後開始。/C/s必須在D0（LSB）數據位的CLK低電平時立即由低變高。
讀/忙狀態可以由RDSR指令決定。Bit 0 = 1時，編程周期持續，Bit 0 = 1結束。編程期間只有DRSR有效。
壹個單獨的編程指令給壹個未寫保護的1-256字節（頁）編程。開始字節可以在頁的任何地方，。當等到頁的末尾時，地址會回卷到本頁的開始。如果數據少於壹整頁，本頁的其他字節不會改變。如果多余256字節，地址計數器會回卷到本頁開始。前面的數據會被更換。同樣的字節不能在未進行塊擦除前被更換。AT25F512/1024在編程周期結束後返回到寫禁止狀態。註意：如果裝置沒有被寫使能，（WREN）設備將忽略寫指令並返回待機狀態，/C/S為高時需要重新設低以初始化串行通訊。
表6 地址鍵 地址 AT25F512 AT25F1024 AN A15- A0 A16 - A0 0 A16 - 位無關 A23 - A17 A23 - A17 對於AT25F512，A16必須設置為0，如果AT25F512的A16 設為1，無法確實讀狀態結束，並且PROGRAM, SECTOR ERASE 和 CHIP會出現忙狀態。
塊擦除 (SECTOR ERASE):對壹個字節重新編程前，必須將包含這個字節的塊擦除。對AT25F512/1024擦除可以使用兩個獨立的指令。首先：通過WREN指令使寫使能，然後進行快擦除指令SECTOR ERASE。 扇區地址 AT25F512 AT25F1024 000000 to 007FFF 塊 1 塊 1 008000 to 00FFFF 塊 2 塊 2 010000 to 017FFF N/A 塊 3 018000 to 01FFFF N/A 塊 4 如果這個塊沒有鎖定，快擦除指令擦除塊裏每壹個字節。如果塊裏的任何壹個字節被選擇，字節地址就被自動選定。快擦除指令內部控制，自動到結束。此時除了RDSR外所有的命令被忽略。塊擦除結束後AT25F512/1024自動返回寫禁止狀態。
芯片擦除 (CHIP ERASE):作為快擦除的替換，芯片擦除可以擦除任何壹個沒有鎖定的存儲區。首先要由WREN使寫使能，然後可以執行芯片擦除指令。它是內部控制的，自動同步到結束。典型的芯片存儲周期為3.5秒。除了RDSR，此時所有的命令被忽略，芯片擦除結束後AT25F512/1024自動返回寫禁止狀態。